[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有下述部分：栅极电极；在已经形成于栅极电极下边的栅极绝缘膜和绝缘性薄膜或者绝缘性衬底之间形成的第一导电类型的沟道区域；把上述沟道区域夹在中间形成的第一导电类型的源区和漏区；在上述源区和上述绝缘性薄膜或者绝缘性衬底之间形成的、与上述沟道区域接触的第一导电类型半导体区域；在上述源区或漏区上边形成的层间绝缘膜，用已形成于贯通上述层间绝缘膜的接触孔内的导电体把源区和漏区引出到上述层间绝缘膜上边，用已形成于贯通上述层间绝缘膜和上述源区的体接触孔内的导电体把上述第一类导电类型半导体区域引出到上述层间绝缘膜上边，其特征是：在上述接触孔和上述体接触孔的内壁上形成了由绝缘物构成的侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第一导电类型的半导体区域至少在上述体接触孔正下边的部分已变成为高杂质浓度区域。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述漏区被形成为接触到上述绝缘性薄膜或者绝缘性衬底上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，到达上述源区的接触孔开有多个，这些多个接触孔和上述体接触孔形成为一列。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述沟道区域，上述源区和漏区以及上述第一导电类型的半导体区域形成于岛状的半导体薄膜上。