[发明专利]磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 98107042.6 | 申请日： | 1998-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1196549A | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | 村冈俊作;伊藤升;高桥健;武田裕美 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁头 及其 制造 方法 | ||
1.MIG形磁头，它在磁隙中具有以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层夹持Cr2O3层的磁隙材料。
2.权利要求1所述的MIG形磁头，其中，上述以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层是硅酸盐玻璃层。
3.权利要求2所述的MIG形磁头，其中，上述硅酸盐玻璃层是硼硅酸盐玻璃层。
4.权利要求1所述的MIG形磁头，其中，上述以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层具有30nm以上的厚度。
5.权利要求1所述的MIG形磁头，其中，使顺序地形成金属磁性层、以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层和Cr2O3层的一对磁心半体接触上述Cr2O3层的至少一部分地进行加热，通过利用已软化的玻璃进行接合而得到的MIG形磁头。
6.权利要求5所述的MIG形磁头，其中，接合磁心半体的上述玻璃具有500℃以下的软化点。
7.权利要求5所述的MIG形磁头，其中，接合磁心半体的上述玻璃以PbO作为主成分。
8.MIG形磁头的制造方法，它包括以下工序：
在一对磁心半体上顺序地形成金属磁性层、以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层和Cr2O3层的工序；
使上述一对磁心半体接触上述Cr2O3层的至少一部分地进行加热，利用已软化的玻璃进行接合，形成上述非磁性氧化物层夹持上述Cr2O3层的磁隙材料的工序。
9.权利要求8所述的MIG形磁头的制造方法，其中，至少在下述的温度范围，在包含氧的气氛中进行加热，使上述玻璃软化，
Tg-85℃≤T≤Tg-35℃
但，Tg是上述玻璃的玻璃转变点。
10.权利要求8所述的MIG形磁头的制造方法，其中，上述以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层是硅酸盐玻璃层。
11.权利要求10所述的MIG形磁头的制造方法，其中，上述硅酸盐玻璃层是硼硅酸盐玻璃层。
12.权利要求8所述的MIG形磁头的制造方法，其中，上述以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层具有30nm以上的厚度。
13.权利要求8所述的MIG形磁头的制造方法，其中，接合磁心半体的上述玻璃具有500℃以下的软化点。
14.权利要求8所述的MIG形磁头的制造方法，其中，接合磁心半体的上述玻璃以PbO作为主成分。
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