[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

选择腐蚀铝布线；

改造置于铝布线下面的氧化膜的表面；

形成有机层间膜。

2.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征为，腐蚀铝布线后，改造氧化膜的表面时，用含CF₄的气体进行等离子体处理。

3.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征为，腐蚀铝布线后，改造氧化膜的表面时，用硅进行离子注入。

4.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征为，有机层间膜由氟化非晶碳构成。

5.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

选择腐蚀形成在半导体衬底的绝缘膜上的金属布线层；

改造通过腐蚀所暴露的绝缘膜的表面；

形成有机层间膜以覆盖金属布线层和绝缘膜。

6.根据权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征为，金属布线层包含铝布线层，而有机层间膜由氟化非晶碳构成。

7.根据权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征为，在腐蚀金属布线层后用含CF₄的气体在绝缘膜的表面进行等离子体处理，或者在形成由氟化非晶碳构成的有机层间膜之前进行硅离子注入，由此在绝缘膜的表面进行表面改造。

8.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底的绝缘膜上形成铝布线层；

用抗蚀剂作为掩模来干法刻蚀铝布线层，其中抗蚀剂覆盖在铝布线层上并有图形；

用含CF₄的气体在由干法刻蚀所暴露的绝缘膜表面形成损伤层；

剥落抗蚀剂；

在半导体器件的整个表面形成氟化非晶碳膜。

9.根据权利要求8的半导体器件的制造方法，其特征为，在干法刻蚀铝布线层后，用硅进行离子注入。

10.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

用光刻工艺将覆盖在铝构成的第一布线层上的光刻胶进行构图，其中第一布线层形成在半导体衬底的层间绝缘膜上；

用腐蚀气体选择腐蚀第一布线层；

改造通过选择腐蚀所暴露的层间绝缘膜的表面；

用O₂等离子体剥落光刻胶；

用CVD方法形成氟化非晶碳层；

形成穿过氟化非晶碳层的VIA孔；

形成由铝构成的、并通过VIA孔与第一布线层连接的第二布线层。

11.根据权利要求10的半导体器件的制造方法，其特征为，用含CF₄的气体进行等离子体处理，以在通过选择腐蚀所暴露的层间绝缘膜的表面形成多孔损伤层，由此实现层间绝缘膜的表面改造。

12.根据权利要求10的半导体器件的制造方法，其特征为，进行硅的离子注入，以在通过选择腐蚀所暴露的层间绝缘膜的表面形成损伤层，由此实现绝缘膜的表面改造。

13.根据权利要求10的半导体器件的制造方法，其特征为，层间绝缘膜由BPSG构成。

14.根据权利要求10的半导体器件的制造方法，其特征为，腐蚀气体为含Cl₂和N₂的混合气体。

15.根据权利要求10的半导体器件的制造方法，还包括以下步骤：

构图第二布线层；

形成由氮化硅构成的覆盖膜。