[发明专利]一种以纳米结构建立室温超导体的方法无效
| 申请号： | 98109047.8 | 申请日： | 1998-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1201988A | 公开（公告）日： | 1998-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李扬远 | 申请（专利权）人： | 李扬远 |
| 主分类号： | H01B12/02 | 分类号： | H01B12/02;H01B12/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 536000 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 建立 室温 超导体 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种以纳米结构建立室温超导体的方法，其技术特征是：包括有直径为一个原子的金属纳米细线和用于隔离与成形的高强度绝缘体，纳米细线置于绝缘体之中，两者以纳米技术同时合成。
2、根据权利要求1所述的一种以纳米结构建立室温超导体的方法，其技术特征是：置于绝缘体中的纳米细线为数量级根数。
3、根据权利要求1所述的一种以纳米结构建立室温超导体的方法，其技术特征是：绝缘体为氧化物、陶瓷、新型工程塑料等高强度材料。
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