[发明专利]等离子体处理的方法及装置

权利要求书

1.等离子体处理方法，包括：

通过抽气真空室内部同时将气体输至真空室，控制真空室(1，101)内部至规定压力，其特征在于，

在真空室内部的压力控制下，高频功率供给第一导体(6a，106a)的一端(11a，111a)，另一端断开，第一导体为涡流型，第二导体(6b，106b)的一端(11b，111b)接地，另一端断开，第二导体为涡流型，并从第一导体和第二导体辐射电磁波至真空室；和

在真空室产生等离子体并处理位于真空室内电极(7，107)上的基底(8，108)。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于供给第一导体的高频功率的频率在50至150MHz范围内。

3.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于供给第一导体的高频功率以脉冲形式调制，高频功率的最大值与最小值之比为10或更大，

第一导体和第二导体设在真空室内部，

高频功率供给由第一导体形成的涡流中心侧端部分的一端，

压力不大于2Pa，以及

当高频功率供给第一导体的一端时，高频功率供给电极。

4.等离子体处理装置，包括：

用于将气体输至真空室的装置(2，102)；

用于抽气真空室内部的装置(3，103)；

用于提供高频功率的高频电源(4，104)；

用于其上放置基底的电极(7，107)；

电介质(5，105)；其特征在于还包括：

第一导体(6a，106a)，其一端断开，另一端与高频功率的高电位侧相连，呈涡流型；以及

第二导体(6b，106b)，其一端断开，另一端接地，呈涡流型。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于还包括用于以脉冲形式调制供给第一导体的高频功率的装置，

其中具有50至150MHz频率的高频功率的高电位侧与第一导体相连，

其中高频功率的最大值与最小值之比为10或更大，

其中由第一导体形式的涡流中心侧端部分与高频功率的高电位侧相连，

可在不大于2Pa压力下操作等离子体处理装置，以及

等离子体处理装置还包括用于将高频功率供给电极的装置(4，104)。

6.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于第一导体和第二导体设在真空室内部或外部。

7.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于第一导体和第二导体形成多涡流。

8.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于第一导体的基长为高频功率波长的1/4或1/2或5/8或与高频功率波长相同，第二导体的基长为高频功率波长的1/4或1/2或5/8或与高频功率波长相同。

9.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于第一导体和和第二导体的每一个为基本平面涡流型，经由第一导体形成的涡流中心侧端部分的直线在交会点处与平面上的第一导体相交，第一导体放置在该平面上，由第一导体切线和直线形成的角度在第一导体各处大抵恒定；以及经由第二导体形成的涡流中心侧端部分的直线在交会点处与平面上的第二导体相交，第二导体放置在该平面上，由第二导体切线与直线形成的角度在第二导体各处大抵恒定。

10.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于第一和第二导体的每一个为半球形，并假定第一导体和第二导体的图像投射到平行于基底的平面上，经由第一导体的投射图像形成的涡流中心侧端部分的直线在交会点处与第一导体的投射图像相交，由第一导体的投射图像的切线和直线形成的角度在第一导体的投射图像的各处大抵恒定；和经由第二导体的投射图像形成的涡流中心侧端部分的直线在交会点处与第二导体的投射图像相交，由第二导体的投射图像的切线与直线形成的角度在第二导体的投射图像的各处大抵恒定。