[发明专利]制备半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制备具有电容器的半导体器件的方法，电容器具有上层电极、介质薄膜和下层电极，其中下层电极通过以下步骤形成：形成第一硅薄膜的步骤，该硅薄膜包含杂质并通过真空化学汽相生长的方法以非晶态或多晶态的形式生长在半导体衬底的一个主表面上；将第一硅薄膜制成预定形状的步骤；在第一硅薄膜表面形成自生氧化层的步骤；形成第二硅薄膜的步骤，该硅薄膜含有杂质并通过真空化学汽相生长的方法以非晶态的形式生长；形成第三硅薄膜的步骤，该硅薄膜不含杂质并通过真空化学汽相生长的方法，在不将同一部分暴露在空气中的条件下，以非晶态的形式生长；在不将同一部分暴露在空气中的非氧化环境里对第三硅薄膜进行退火处理的步骤，使第三硅薄膜结晶，由此形成半球形硅晶颗粒；和利用各向异性的刻蚀技术进行深腐蚀的步骤。

2.根据权利要求1的制作半导体器件的方法，其中第一硅薄膜表面上的自生氧化层厚度是2nm或更小。

3.根据权利要求1的制作半导体器件的方法，其中掺杂到第二硅薄膜中的杂质是磷。

4.根据权利要求3的制作半导体器件的方法，其中掺杂到第二硅薄膜中的磷浓度在1E20至3E20[atoms/cc]之间。

5.根据权利要求1的制作半导体器件的方法，其中第二硅薄膜的厚度在10至70nm之间。

6.根据权利要求1的制作半导体器件的方法，其中第三硅薄膜的厚度在5至60nm之间。