[发明专利]厚膜微压力传感器及制备方法无效
申请号: | 98111559.4 | 申请日: | 1998-10-31 |
公开(公告)号: | CN1088512C | 公开(公告)日: | 2002-07-31 |
发明(设计)人: | 马以武;常慧敏;宋箭;申飞;王英先 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥智能机械研究所 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 厚膜微 压力传感器 制备 方法 | ||
(1)技术领域:
本发明涉及厚膜微压力传感器技术。
(2)背景技术:
厚膜微压力传感器是八十年代初出现的新型传感器,其弹性体为高性能氧化铝瓷,应变电阻为具有压阻效应的厚膜电阻,采用厚膜工艺技术直接印刷、烧结在陶瓷弹性体上。这种厚膜微压力传感器成本低、耐高温、耐腐蚀,可直接接触腐蚀性液体或气体,无需通过不锈钢膜片和硅油隔离。八十年代以来,许多国家都对厚膜微压力传感器及厚膜力敏技术进行研究和开发。目前国内外厚膜微压力传感器的最小量程一般都在0.1Mpa(100KPa)左右。
目前国内外常用的微压力传感器主要有扩散硅、组合式二种。前者采用硅材料及半导体平面工艺制作,应变电阻为扩散硅电阻,弹性体为单晶硅,后者主要由弹性波纹膜片、连杆、应变片组合而成,量程一般可达10~50Kpa,不足之处是工作温度低,不耐腐蚀,测量腐蚀性介质需采用隔离措施,成本高。
此外,研制10Kpa以下微压力品种的传感器,存在如下困难和限制:
1、扩散硅压力传感器,随着量程的减小,其弹性膜片的厚度需要进一步减薄,这样导致扩散硅电阻的结深难以控制,非线性增加,性能恶化,一致性和成品率下降等诸多困难。
2、组合式压力传感器结构复杂,由于加工工艺和材料的限制,加工难度更大,难以实现,加上成本高、工作温度低、不耐腐蚀,已远不能适应压力测量的需求。
(3)发明内容:
本发明的目的是,提供一种采用新型陶瓷弹性体设计,采用厚膜应变电阻浆料、并通过厚膜印刷、烧结工艺技术,制出的廉价、工作温度高的厚膜微压力传感器。
本发明目的是这样实现的:采用Al2O3瓷加工成弹性膜片及瓷环,弹性圆膜片采用流延法工艺成型,瓷环采用热压铸成型工艺制作,高温烧成,用高温玻璃浆料将弹性圆膜片和瓷环粘结成周边固支的感压弹性体,并在高温中烧结成为一体。然后在弹性体上按预定位置印刷烧结导电带,并在陶瓷弹性体的中央及边缘附近位置通过厚膜丝网印刷,高温烧结工艺制作厚膜应变电阻,并接成全桥,抗过载及补偿用盖板也是用Al2O3瓷热压铸成型,用低温玻璃和已印烧好厚膜应变电阻的弹性体形成整体。
(4)附图说明:图1是本发明的结构示意图;图2是本发明盖板3的结构示意图;图3是弹性体1的结构示意图。
(5)具体实施方式:
图中:1、弹性体;2、厚膜电阻全桥(R1~R4);3、盖板;4、补偿电阻网络;5、钯银导带;6、凹槽。
1、超薄微压陶瓷弹性体的制造:弹性膜片采用95%的三氧化二铝(Al2O3)陶瓷制作,采用流延法工艺成型,并在1600~1800℃烧结,膜片外径φ72mm,厚度0.25~0.60mm,所制膜片要平整致密,厚度均匀,不得有曲翘和凹凸不平,瓷环外径有φ72mm,内径φ60mm,厚度6.0mm,采用95%Al2O3瓷,热压铸工艺成型,其烧成温度为1600~1700℃,再将瓷环两面研磨抛光,使其上下面平整。
采用丝网印刷工艺,在瓷环上均匀印刷一层高温玻璃浆料,然后将φ72mm的膜片粘合在瓷环上,要粘合平整,严密无缝,在常温下平放阴干至少2小时,红外线灯烘干,然后放到高温炉中,在880~940℃高温下烧成一体,出炉后自然冷却至室温。
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