[发明专利]瓠瓜枯萎病抗性导入西瓜技术无效
申请号: | 98112427.5 | 申请日: | 1998-04-10 |
公开(公告)号: | CN1192851A | 公开(公告)日: | 1998-09-16 |
发明(设计)人: | 肖光辉;吴德喜;罗赫荣;刘建雄;黄秋林;王双伍 | 申请(专利权)人: | 湖南园艺种苗中心 |
主分类号: | A01H1/00 | 分类号: | A01H1/00 |
代理公司: | 湖南省专利服务中心 | 代理人: | 方志辉 |
地址: | 410125 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 枯萎病 抗性 导入 西瓜 技术 | ||
1、一种瓠瓜枯萎病抗性导入西瓜技术,以瓠瓜作DNA供体,西瓜作DNA受体,采用外源DNA导入技术中的DNA浸胚法,其特征在于,受体为经过3代以上自交纯化选育,不抗枯萎病的西瓜纯系材料,供体为对西瓜枯萎病免疫的当地栽培瓠瓜品种或嫁接西瓜的砧木瓠瓜品种。在室温15℃-25℃条件下,用DNA溶液的量为西瓜种子重量2倍以上,浓度为500-1500μg/ml的DNA溶液浸西瓜干胚15-20小时,在25℃-30℃温度下催芽,待芽长为0.5-1.0cm时,直播于连作西瓜3年以上,前茬西瓜枯萎病发病率为30%以上的病圃中,导入后代继续在连作西瓜3年以上,前茬西瓜枯萎病发病率30%以上的病圃中进行多代抗性筛选和自交纯化。在D4代就可获得性状稳定的抗西瓜枯萎病材料。
2.按权利要求1所述的瓠瓜枯萎病抗性导入西瓜技术,其特征在于以从土耳其引进的一常规西瓜品种,经过3代自交选育出的纯系材料9018作DNA受体,以长沙地方瓠瓜品种长瓠子为DNA供体。
3.按权利要求2所述的瓠瓜枯萎病抗性导入西瓜技术,其特征在于在25℃的温度下,用DNA浓度为1000μg/ml的溶液浸种18小时。
4.按权利要求3所述的瓠瓜枯萎病抗性导入西瓜技术,其特征在于在25℃下催芽后,直播在连作西瓜4年,前茬枯萎病发病率为46.5%的病圃中进行抗性筛选。
5.按权利要求4所述的瓠瓜枯萎病抗性导入西瓜技术,其特征在于将在抗病植株上获得的单株自交果D1代直播在连作西瓜三年,前茬西瓜枯萎病发病率32.7%的病圃中,进行抗病变异株筛选。
6.按权利要求5所述的瓠瓜枯萎病抗性导入西瓜技术,其特征在于将抗病变异株D2代分株系直播在病圃中进行自交纯化和抗性筛选。
7.按权利要求6所述的瓠瓜枯萎病抗性导入西瓜技术,其特征在于将变异株D3代在连作西瓜3年,前茬枯萎病发病率34.9%,土壤带菌量为4.3×103个/克干土的病圃中直播,继续进行自交纯化和抗性筛选,选育出了4份性状趋于稳定且对枯萎病具特殊抗性的材料。这4份抗性材料D4代的性状已稳定,其中2份高抗西瓜枯萎病,2份中抗西瓜枯萎病。
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