[发明专利]具有最少银扩散的多层电子元件及其制造方法有效
申请号: | 98114701.1 | 申请日: | 1998-06-10 |
公开(公告)号: | CN1219743A | 公开(公告)日: | 1999-06-16 |
发明(设计)人: | 福岛英子;佐藤直行;伊藤博之;小川共三 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/33 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 最少 扩散 多层 电子元件 及其 制造 方法 | ||
1、一种多层电子元件,其具有扩散到陶瓷体的最少的银扩散量,并由多层陶瓷坯片的层叠体制成,至少所述陶瓷坯片之一上印有含银的内电极图案,并且所述陶瓷体为由所述多个陶瓷坯片制成的一个整体元件,所述陶瓷体包括一主晶相和一晶界相。
2、根据权利要求1所述的多层电子元件,其中,在所述陶瓷体的离开所述内部电极图案边缘10μm或更远的部分的银的量占在所述陶瓷体的离开所述内部电极图案边缘10μm或更远的所述部分的金属元素的总量的0.5wt%或更少。
3、根据权利要求1所述的多层电子元件,其中,在所述晶界相中的银含量占在所述晶界相中具有的金属元素总量的5wt%或更少。
4、根据权利要求1所述的多层电子元件,其中,在所述主晶相中的银含量占在所述主晶相中具有的金属元素总量的0.2wt%或更少。
5、根据权利要求1-4的任一项所述的多层电子元件,其中,所述晶界相包括选自由Pb、Bi、Cu和V构成的组中的至少一种元素。
6、根据权利要求1-4的任一项所述的多层电子元件,其中,该元件在1GHz时的介电损耗为7×10-4或更小。
7、根据权利要求1-4的任一项所述的多层电子元件,其中,用于构成所述主晶相的材料为选自由NiCuZn铁氧体、CuZn铁氧体、NiZn铁氧体、NiCu铁氧体、Cu铁氧体和Ni铁氧体构成的组中的至少一种软铁磁材料。
8、根据权利要求1-4的任一项所述的多层电子元件,其中,用于构成所述主晶相的所述材料为一介电材料。
9、根据权利要求8所述的多层电子元件,其中,所述介电材料为选自由CaZrO3、BaZrO3、SrZrO3、PbZrO3、BaTiO3、CaTiO3、PbTiO3、PbTiO3-PbZrO3、Al2O3、BaO-TiO2-NdO2/3和ZrO2-TiO2-SnO2构成的组中的至少一种。
10、根据权利要求8所述的多层电子元件,其中,所述陶瓷体具有以孟塞尔色标计N6.5或更大,或者V6.5或更大的光亮度。
11、根据权利要求8所述的多层电子元件,其中,所述陶瓷体具有在孟塞尔色度环中从5R到5RY至5Y的色度和以孟塞尔色标计C9或更小的色饱和度。
12、根据权利要求8所述的多层电子元件,其中,所述陶瓷体为半透明或不透明的。
13、根据权利要求8所述的多层电子元件,其中,一个所述陶瓷体表面的电极图案或者一个从所述陶瓷体的表面可以观看到的内部电极图案,由所述电极图案的区域或一个被所述电极图案包围的非电极图案的区域组成一个标识。
14、根据权利要求13所述的多层电子元件,其中,所述标识至少由字母、数字、符号之一组成,该标识至少表示下列信息之一:所述外电极的功能、所述电子元件待对中的方向、所述电子元件的种类、所述电子元件的生产号、所述电子元件的规格及生产商名称。
15、一种用于制作上述权利要求中的任一项所述的多层电子元件的方法,其包括以下步骤:
将用于构成所述主晶相的所述材料和用于构成所述晶界相的所述材料的混合物料制成多个坯片;
使用含银的导电材料,在所述多个坯片的至少一个上印制所述内部电极图案;
将所述至少一个印有电极图案的坯片与至少一个其上没有电极图案的坯片层叠;
在800~1100℃烧结所述层叠的坯片;以及
通过在600~1100℃进行焙烧,将所述外部电极与所述内部电极固定,
其中,所述烧结步骤和/或所述焙烧步骤的至少一部分是在非氧化气氛中进行的。
16、根据权利要求15所述的方法,其中,所述烧结步骤和/或所述焙烧步骤的至少一部分在所述非氧化气氛中进行至少5分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社,未经日立金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98114701.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜致动反射镜阵列及其制造方法
- 下一篇:用于高压绕组的绝缘导体及其制作方法