[发明专利]降低半导体晶片上水迹形成的方法无效
| 申请号： | 98115001.2 | 申请日： | 1998-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1203441A | 公开（公告）日： | 1998-12-30 |
| 发明（设计）人： | 拉维库马·拉马钱德朗 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 晶片 上水 形成 方法 | ||
1.一种防止半导体晶片上水迹形成的方法，包括：
(a)提供一个半导体晶片，该晶片上有一个具有亲水性能的区域；和
(b)使该晶片接触一种含有阳离子表面活性剂的溶液。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阳离子表面活性剂使所述具有亲水性能的区域呈现疏水性。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述阳离子表面活性剂包括烃基胺。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述阳离子表面活性剂选自由烃基胺构成的一组物质，所述烃基中包括4至20个碳原子。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述烃基胺选自于包括癸胺和十二基胺的一组物质。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述溶液包括约0.002mM至约40mM的量的阳离子表面活性剂。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述溶液在一个冲洗步骤内接触所述晶片。
8.根据权利要求2所述的方法，还包括从所述半导体晶片表面去除所述阳离子表面活性剂的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述阳离子表面活性剂是通过使所述晶片接触一种有机溶剂而去除的。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述有机溶剂是一种醇。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述醇选自于一组包括乙醇和异丙醇在内的物质。
12.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤(a)包括湿法化学处理半导体晶片的步骤。
13.根据权利要求2所述的方法，其中，半导体晶片的表面具有包括氧化物的亲水区域。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述氧化物包括二氧化硅。
15.一种降低半导体晶片的表面上水迹形成的方法，包括：
(a)提供一个具有一个包括氧化物和裸露硅区域的表面的半导体晶片；和
(b)通过使所述半导体晶片的表面接触一种含有至少一种能降低水迹的量的阳离子表面活性剂，以增加所述晶片表面的疏水性。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述阳离子表面活性剂选自一组包括烃基胺的物质。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述烃基胺选自一组包括癸胺和十二基胺在内的物质。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述溶液的阳离子表面活性剂的含量为约0.002mM至约40mM。
19.根据权利要求15所述的方法，还包括通过使所述晶片的表面接触一种有机溶剂而从所述晶片表面去除阳离子表面活性剂的步骤。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述有机溶剂是一种醇。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述醇选自一组包括乙醇和异丙醇在内的物质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
