[发明专利]微结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造微结构的方法，该方法包括下列步骤：

制备一个包括一个第一膜和一个紧贴在第一膜上的第二膜的双层的叠层基底，该第二膜是用一种可以被同步辐射光所蚀刻的材料制成；

将一个带有一种图形的掩模件紧紧贴靠在一个叠层结构的第二膜的表面上或者与第二膜表面保持一段距离，掩模件的图形是由同步辐射光基本上不能透过的材料制成的；和

使同步辐射光通过掩模件照射在第二膜的部分表面区域上以便将同步辐射光所照射到的第二膜部分侵蚀掉并且将第一膜的部分表面区域暴露在一个蚀刻区域的底部上。

2.如权利要求1的方法，其特征在于，其中第一膜是由导体材料制成而该方法还包括下列步骤：

在将第一膜的部分表面区域暴露的所述步骤之后，

将一个金属件通过电铸淀积在第一膜的暴露的部分表面区域上以该金属件填充在第二膜被除去的区域；和

用同步辐射光或电子束照射该叠层基底以除去剩下的第二膜。

3.如权利要求1的方法，其特征在于，它还包括在将第一膜的部分表面区域暴露的所述步骤之后通过使用第一膜和剩留在第一膜上的部分表面区域上的第二膜来模制塑料的步骤。

4.如权利要求1的方法，其特征在于，它还包括下列步骤：

在将第一膜的部分表面区域暴露的所述步骤之后，

将一个金属件通过电铸淀积在第一膜的暴露的部分表面区域上以该金属件填充在第二膜被除去的区域；和

部分地将第一膜留下在与金属件相对应的区域处和金属件的圆周区域处从而使第一膜配上图形。

5.如权利要求1的方法，其特征在于，第二膜是用聚四氟乙烯制成的。

6.如权利要求2的方法，其特征在于，第二膜是用聚四氟乙烯制成的。

7.如权利要求3的方法，其特征在于，第二膜是用聚四氟乙烯制成的。

8.如权利要求4的方法，其特征在于，第二膜是用聚四氟乙烯制成的。

9.如权利要求1的方法，其特征在于，所述淀积掩模件的步骤包括下列步骤：

将一个金属膜淀积在第二膜的一个表面上；

将一个光刻胶膜涂敷在金属膜的一个表面上；

将光刻胶膜经由一个光掩模曝光；

将曝光的光刻胶膜显影以形成一个抗蚀图形；和

通过将抗蚀图形用作一个掩模来蚀刻金属膜以形成一个留剩余金属膜的掩模件。

10.如权利要求2的方法，其特征在于，所述淀积掩模件的步骤包括下列步骤：

将一个金属膜淀积在第二膜的一个表面上；

将一个光刻胶膜涂敷在金属膜的一个表面上；

将光刻胶膜经由一个光掩模曝光；

将曝光的光刻胶膜显影以形成一个抗蚀图形；和

通过将该抗蚀图形作用一个掩模来蚀刻金属膜以形成一个留剩金属膜的掩模件。

11.如权利要求3的方法，其特征在于，所述淀积掩模件的步骤包括下列步骤：

将一个金属膜淀积在第二膜的一个表面上；

将一个光刻胶膜涂敷在金属膜的一个表面上；

将光刻胶膜经由一个光掩模曝光；

将曝光的光刻胶膜显影以形成一个抗蚀图形；和

通过将抗蚀图形用作一个掩模来蚀刻金属膜以形成一个留剩金属膜的掩模件。

12.如权利要求4的方法，其特征在于，所述淀积掩模件的步骤包括下列步骤：

将一个金属膜淀积在第二膜的一个表面上；

将一个光刻胶膜涂敷在金属膜的一个表面上；

将光刻胶膜经由一个光掩模曝光；

将曝光的光刻胶膜显影以形成一个抗蚀图形；和

通过将抗蚀图形用作一个掩模来蚀刻金属膜以形成一个留剩金属膜的掩模件。

13.如权利要求9的方法，其特征在于，它还包括在所述侵蚀第二膜和将第一膜的部分表面区域暴露在蚀刻区域的底部上的步骤之后将留剩金属膜除去的步骤。

14.如权利要求10的方法，其特征在于，它还包括在所述侵蚀第二膜和将第一膜的部分表面区域暴露在蚀刻区域的底部上的步骤之后将留剩金属膜除去的步骤。