[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种有静态存贮器单元的半导体存贮器器件，它包括在半导体衬底上形成的两个MOS驱动晶体管，分别连接到所述两个MOS驱动晶体管的每一个晶体管的漏的两个MOS转移晶体管和两个高阻加载元件，供给电源电压的电源线，其中，所述器件包括其上至少形成场氧化层，栅电极和扩散层的衬底，形成在所述衬底上的第一层间绝缘层，形成在所述第一层间绝缘层上的已构图的接地线，其表面覆盖腐蚀停止层，形成在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，以覆盖所述已构图的接地线和所述元件，其中，形成沟，穿过所述第二层间绝缘层延伸到所述腐蚀停止层，和设在所述第二层间绝缘层表面上和所述沟内表面上的高阻加载元件。

2、按权利要求1的半导体存贮器器件，其中，所述第二层间绝缘层设有接触通孔，孔穿透所述第一和第二层间绝缘层，从其顶表面延伸到有所述栅电极和所述扩散层的部分，所述接触孔的内表面也形成所述第二层间绝缘层，因此。所述第二层间绝缘层连接到所述栅电极和所述扩散层。

3、按权利要求1的半导体存贮器器件，其中，所述器件还包括在所述第二层间绝缘层表面上形成的绝缘层，在所述绝缘层表面上形成的导电层。

4、按权利要求2的半导体存贮器器件，其中所述器件还包括所述第二层间绝缘层表面上形成的绝缘层，和所述绝缘层表面上形成的导电层。

5、一种有静态存贮器单元的半导体存贮器器件，它包括在半导体衬底上形成的两个MOS驱动晶体管，分别连接到所述两个MOS驱动晶体管的每一个晶体管的漏的两个MOS转移晶体管和两个高阻加载元件，供给电源电压的电源线，其中，所述器件包括其上至少形成场氧化层，栅电极和扩散层的衬底，形成在所述衬底上的第一层间绝缘层，形成在所述第一层间绝缘层上的已构图的接地线，形成在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，以覆盖所述已构图的接地线和所述元件，所述已构图的接地线两边至少设置第一和第一接触孔，其中每个孔穿透所述第一和第二层间绝缘层，从其顶表面延伸到有所述栅电极和所述扩散层处，在所述第二层间绝缘层的表面上和所述第一接触孔的内表面上形成的第一高阻加载元件，和在有层间绝缘层的所述第一高阻加载元件表面上形成的第二高阻加载元件。

6、按权利要求5的半导体存贮器器件，其中，还有设置在所述第二层间绝缘层表面上的第一导电层，设置在所述绝缘层表面上的第二导电层。

7、有多个静态存贮器单元的半导体存贮器器件的制造方法，该器件包括在半导体衬底上形成的两个MOS驱动晶体管，连接到所述两个MOS驱动晶体管的漏的两个MOS转移晶体管和两个加载元件，供给电源电压的电源线，所述制造方法包括以下工艺步骤：

(a)在上述半导体衬底表面上形成场绝缘层，之后，形成栅绝缘层；

(b)形成第一导电层，之后，腐蚀规定区域，形成所述MOS驱动晶体管和所述MOS转移晶体管；

(c)形成第一层间绝缘层；

(d)在所述第一层间绝缘层上形成第二导电层和氮化硅层，之后，腐蚀所述第二导电层和氮化硅层构成规定形状；

(e)在其上形成第二层间绝缘层；

(f)腐蚀所述氮化硅层和节点部分上的所述第一和第二层间绝缘层，在其中形成沟；和

(g)形成第三导电层并将其构成有规定形状的图形。

8、按权利要求7的半导体器件的制造方法，其中，所述第三导电层是多晶硅。

9、按权利要求7的半导体器件的制造方法，其中，构图后形成第三导电层，构图形成第一绝缘层，分隔图形，形成第四导电层，它用作有所述第三导电层作相对电极的电容器。

10、按权利要求9的半导体器件的制造方法，其中，所述第一绝缘层选自氧化硅单层和由氧化硅层与氮化硅层构成的复合层。