[发明专利]等离子体活化蒸发法沉积二氧化硅

权利要求书

1．在聚碳酸酯基片上沉积抗磨损涂层的方法，该方法是在引入等离子体区的一氧化二氮存在下进行二氧化硅的等离子体增强反应性蒸发。

2．根据权利要求1的方法，用抗磨损金属氧化物层涂复塑料基片，该方法包括将塑料基片放入真空室中；在真空室中形成真空；通过真空室内的电子束蒸发通过形成氧化物的金属或金属氧化物的等离子增强反应性蒸发来沉积抗磨损层，使蒸发的金属或金属氧化物通入含有氧气和一氧化二氮的氩气等离子体中；使塑料基片暴露于等离子体内，从而使抗磨损层沉积在基片的暴露表面上。

3．根据权利要求2的方法，其中等离子体含有氧、一氧化二氮和反应性有机硅单体。

4．根据权利要求2的方法，其中形成氧化物的金属是硅、钛或铝。

5．根据权利要求3的方法，其中反应性单体选自由硅烷、硅氧烷和硅氮烷组成的一组物质。

6．根据权利要求3的方法，其中塑料基片是聚碳酸酯。

7．根据权利要求3的方法，其中蒸发进入等离子体中的金属氧化物是二氧化硅。

8．根据权利要求5的方法，其中有机硅化合物是四甲基二硅氧烷等。