[发明专利]墨水通道制造方法

权利要求书

1.一种墨水通道制造方法，用于一喷墨印头晶片中，所述喷墨印头晶片形成于一矽基板上，其特征在于，所述墨水通道制造方法包括：对所述矽基板的第一面进行选择性蚀刻，使所述矽基板的厚度变薄，并形成数个凹槽；在所述凹槽中已变薄的矽基板上穿孔，形成数个墨水通道；形成数个墨水室于所述矽基板的第二面上方，各墨水室与各墨水通道一一对应，以与墨水容器连通。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述墨水通道的厚度在50μm至200μm之间。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述墨水通道的厚度为70μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述墨水通道以非等向性蚀刻法形成。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述墨水通道以镭射加工法形成。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述墨水通道以喷砂加工法形成。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述墨水通道彼此互相连通。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述墨水通道各自独立。

9.一种墨水通道制造方法，用于一喷墨印头晶片中，所述喷墨印头晶片形成于一矽基板上，其特征在于，所述墨水通道制造方法包括：对所述矽基板的第一面进行选择性蚀刻，使所述矽基板的厚度变薄，并形成数个凹槽；在所述凹槽中已变薄的矽基板上穿孔，形成数个墨水通道；形成数个溢胶槽于所述矽基板下方，用以吸收储放黏著胶；形成数个墨水室于所述矽基板的第二面上方，各墨水室与各墨水通道一一对应，以与墨水容器连通。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述墨水通道的厚度在50μm至200μm之间。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述墨水通道的厚度为70μm。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述溢胶槽形成于所述矽基板的周围。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述墨水通道以喷砂加工法形成。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述墨水通道以非等向性蚀刻法形成。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述墨水通道以镭射加工法形成。

16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述墨水通道彼此互相连通。

17.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述墨水通道各自独立。

18.一种喷墨印头晶片，其特征在于，它包括于一矽基板上形成的数个喷墨单元，所述晶片上更形成一个溢胶槽。

19.一种喷墨印头晶片，其特征在于，它包括：一矽基板，具有一第一面与一第二面，并在所述第一面上进行选择性蚀刻而形成数个凹槽；数个墨水通道，形成于所述凹槽中；数个墨水室，各墨水室与各墨水通道一一对应，以与一墨水容器相通。

20.如权利要求19所述的喷墨印头晶片，其特征在于，所述墨水通道彼此横向连通。

21.如权利要求19所述的喷墨印头晶片，其特征在于，所述墨水通道各自独立。