[发明专利]镍阻挡端部及形成方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，半导体器件的主体具有裸露的氧化锌表面及镍端部，该方法包括的步骤有：提供具有与氧化锌层交替叠放的导电极板的半导体主体，提供用于所需镍镀敷方法的所选镍镀敷溶液，以及可控制地将半导体主体的端部与镍镀敷溶液接触，以便在半导体主体的端部形成所期望厚度的镍阻挡帽，而没有在整个半导体主体上形成镍阻挡帽，其中镍镀敷溶液的温度不加控制接近室温。

2.如权利要求1的方法，其中保持镍镀敷溶液的pH值在约2和约6之间，并且保持半导体主体与镍镀敷溶液之间的接触约在10到120分钟。

3.如权利要求2的方法，其中保持半导体主体与镍镀敷溶液之间的接触直到镍阻挡帽的厚度在约1到3μm。

4.如权利要求1到3中的任何一个，其特征为通过将镍阻挡帽在一个酸溶液中部分浸没形成可焊接触，并且在这个酸溶液中镍阻挡帽的浸没约为10到120分钟的步骤，酸溶液的构成为室温下烷基-锡，烷基-锡-铅，锡-铅硫酸或锡硫酸中的一个或多个，pH约为3到6之间。

5.如权利要求4的方法，其特征为将约0.3到2.0A/dm²(安培/分米2)的偏压电流施加于镍阻挡帽，并且将镍阻挡帽浸没在酸溶液中直到形成具有3到6μm厚度的可焊接触。

6.如权利要求1到5的任何一个的方法，其中镍镀敷溶液是由硫酸镍、二甲基胺硼烷，乳酸，柠檬酸铵，及氨中的一个或多个构成的室温溶液，其中氧化锌层具有范围在从约10¹⁰到约10¹²欧姆/厘米²的电阻率。

7.如权利要求6的方法，进一步包括的步骤有：将由银和玻璃烧结物构成的端部材料施加到半导体主体的一端上，将半导体主体烧制使端部材料机械地与半导体主体连结，并且端部材料基本无铂和无钯，在约550℃到800℃之间的一个温度上烧制端部材料。

8.如权利要求7的方法，其中镍镀敷溶液包括(i)硫酸镍或氯化镍，(ii)硼酸，(iii)润湿剂，及(iv)应力减缓剂中的一个或多个，温度在约50到70℃，其进一步包括在镍镀敷期间提供约0.3到约2.0A/dm²的偏压电流的步骤，其中偏压电流依赖于要涂覆的半导体的那端的区域而变化，并且控制半导体的浸没以此有选择地控制阻挡帽从半导体主体的那端向上延伸的距离。

9.如权利要求1到8任何一个的方法，其中可控接触是被浸渍的吸收材料提供的。

10.提供一种半导体器件的方法，该半导体器件具有一个主体，它具有裸露的氧化锌表面和导电，可焊金属端部，该方法包括步骤有：提供具有与氧化锌层交替叠放的导电极板的半导体主体；将由银和玻璃烧结物构成的端部材料施加到半导体主体的二个相对端上；通过烧制将端部材料机械连接到半导体主体的二个端上；在温度约50℃到70℃上提供由(i)硫酸镍或氯化镍，(ii)硼酸(iii)润湿剂，及(iv)应力减缓剂中的一个多个构成的镍镀敷溶液；在约15到约120分钟的时间内通过在镍镀敷溶液中选择地部分浸没半导体主体的端部来涂覆半导体主体的银端部同时施加约0.3到2.0(A/dm²)的偏压电流，由此形成与银端部相接触的所希望厚的镍阻挡帽，银端部在半导体器件主体上延伸到所选距离；提供pH值从约3到约6，不控制温度的最后端部溶液，它是烷基-锡，烷基-锡-铅，锡-硫酸或锡-铅-硫酸中的一个或多个的溶液；并且通过有选择地将半导体主体部分浸没在最后端部溶液中约10到约120分钟，同时提供约0.3到约2.0A/dm²的偏压电流，其中镍镀敷溶液的pH值维持在约2到约6之间，在镍阻挡帽上形成所希望厚度的，导电的可焊接的端部。

11.如权利要求10的方法，其中提供的银端部材料是无铂及无钯的而且它在约550到约800℃之间的一个温度上被烧制到半导体主体上，在镍镀敷溶液中的半导体主体的部分浸没持续到镍镀层的厚度在约1到约3μm之间。

12.如权利要求10或11的方法，其中可焊接触约为3到约6μm厚，通过控制浸没深度来控制阻挡层从半导体主体的那端延伸的距离，偏压电流作为要涂覆的半导体区域的函数而变化。