[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：

提供一基底，其上形成一场效应晶体管，所述场效应晶体管包括一源极区与一漏极区；

在所述基底上形成一介电层；

在所述介电层上形成一第一导电层；

在所述第一导电层上形成一绝缘层；

限定所述绝缘层，在所述漏极区的上方形成一开口，裸露出所述第一导电层；

在所述绝缘层与裸露于所述开口中的所述第一导电层上形成一第二导电层；

回蚀所述第二导电层与所述第一导电层，在所述绝缘层侧壁形成一间隙壁，裸露出所述介电层；

以所述第一导电层与所述间隙壁为蚀刻掩模，去除所述绝缘层与部分所述介电层，以形成一自动对准接触窗开口，裸露出所述漏极区；

在所述基底上形成一第三导电层，覆盖所述第一导电层与所述间隙壁，并填入于所述接触窗开口，与所述漏极电耦接；

限定所述第三与所述第一导电层，以使所述第三与所述第一导电层以及所述间隙壁组成一下电极；

在所述下电极表面形成一介电膜层；

以及在所述介电膜层上形成一第四导电层。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氧化硅。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层以四乙氧基硅烷为气体源，经低压化学气相沉积方式形成氧化硅。

4.如权利要求2所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层厚度约为3000埃～5000埃左右。

5.如权利要求2所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，去除所述绝缘层与部分所述介电层，以形成所述自动对准接触窗开口的方法是使用四氟化碳/三氟甲烷(CF₄/CHF₃)所形成的等离子。

6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述第一、所述第二、所述第三与所述第四导电层材料包括具有掺杂的多晶硅。

7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述导电层的形成方法包括低压化学气相沉积法，并且其掺杂是在多晶硅形成的同时进行。

8.如权利要求6所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，回蚀所述第二导电层与所述第一导电层的方法，包括使用溴化氢/氯气(HBr/Cl₂)所形成的等离子。

9.如权利要求1所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述第二导电层厚度约为1500埃～2000埃。

10.如权利要求1所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，回蚀所述第二导电层与所述第一导电层的方法包括各向异性蚀刻法。

11.如权利要求1所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，去除所述绝缘层与部分所述介电层以形成所述自动对准接触窗开口的方法包括使用各向异性蚀刻法。

12.如权利要求1所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述介电膜层材料包括二氧化硅/氮化硅/二氧化硅结构。

13.如权利要求1所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述介电膜层材料包括五氧化二钽。

14.如权利要求1所述的动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述介电膜层材料包括PZT。