[发明专利]半导体激光器

说明书

本发明涉及到组合在例如小型光盘机光拾取头中的半导体激光器。

在图7所示的典型常规半导体激光器中，在同一个封装件200中安装有激光二极管1和用来监测激光二极管1所发射的激光束的强度的监测光电二极管2，且激光二极管1和监测光电二极管2的两端被引出封装件200。

激光二极管1的芯片很小且难于处理。因此，如图8所示，通常将激光二极管1安装在称为辅座的尺寸易于处理的基底5上。在这种状态下对激光二极管芯片进行测试并将其组合到半导体激光器中。

在电子线路中，即使没有外加电压，也由于例如带电物体接触到电路时所引起的静电而常常出现大的暂时电流。这种暂时的大电流称为冲击电流，常常会损坏电子线路。

但是，比之普通集成电路(IC)，激光二极管抗冲击电流的能力极低，因而很容易由于冲击电流而损坏或击穿。在图7所示的常规半导体激光器中，由于所有的冲击电流都流入激光二极管，故当出现冲击电流时，激光二极管很容易损坏或击穿，使器件抗冲击电流的能力很低。

在大多数情况下，为了使激光二极管工作，必须有外部驱动晶体管，因此，在组合有半导体激光器的装置的制造工序中，要从外部固定驱动晶体管。但由于半导体激光器抗冲击电流的能力低而使这一固定操作极端麻烦。这使得无法降低组合有半导体激光器的装置的成本。

本发明的目的是提供一种半导体激光器，其抗冲击电流的能力得到了提高，组合有这种半导体激光器的装置的制造工艺得到了简化，且装置的成本得到了降低。

为了达到上述目的，根据本发明，在带有激光二极管的半导体激光器中，在同一个封装件中安装了激光二极管、用来驱动激光二极管的驱动晶体管以及作为激光二极管抗冲击电流措施的连接于驱动晶体管的电阻器。

在这种半导体激光器中，由于激光二极管的一端通过驱动晶体管被引出封装件而不是激光二极管的两端直接引出封装件，故改善了半导体激光器的抗冲击电流能力。由于电阻器连接于驱动晶体管，故激光二极管更可靠地防止了冲击电流造成的损坏或击穿。

而且，根据本发明，驱动晶体管芯片被用作其上安装激光二极管的辅座，即驱动晶体管或驱动晶体管和电阻器被集成在辅座中。电阻器可制作在驱动晶体管内，或制作在不同于驱动晶体管的区域中。

从参照附图，结合最佳实施例的下列描述中，本发明的这些和其它的目的和特点将变得更为明显，在这些附图中：

图1示出了本发明第一实施例的半导体激光器的电路结构；

图2A示出了第一实施例的半导体激光器的激光二极管芯片安装在用作辅座的驱动晶体管芯片上的情况；

图2B示出了第一实施例的半导体激光器的激光二极管芯片安装在其中集成有驱动晶体管、或驱动晶体管和电阻器的辅座上的情况；

图3A正面图示出了第一实施例的半导体激光器的内部结构；

图3B侧面图示出了第一实施例的半导体激光器的内部结构；

图4是第一实施例的半导体激光器的辅座的剖面图，其中集成有pnp型驱动晶体管；

图5示出了本发明第二实施例的半导体激光器的电路结构；

图6是第二实施例的半导体激光器的辅座的剖面图，其中集成有npn型驱动晶体管；

图7示出了常规半导体激光器的电路结构；

图8示出了常规半导体激光器的激光二极管芯片安装在辅座上的情况。

以下参照附图来描述本发明的最佳实施例。图1示出了本发明第一实施例的半导体激光器的电路结构。参考号1表示激光二极管。参考号2表示监测光电二极管。参考号3表示pnp驱动晶体管。参考号4表示用作抗冲击电流措施的电阻器。激光二极管1的阳极侧连接于驱动晶体管3的收集极。电阻器4的一端连接于驱动晶体管3的基极。

激光二极管1、监测光电二极管2、驱动晶体管3以及电阻器4安装在同一个封装件100中。电阻器4的另一端、驱动晶体管3的发射极、监测光电二极管2的阳极侧以及激光二极管1的阴极侧和监测光电二极管2的阴极侧被引出封装件100。

根据这种结构，由于激光二极管1的一端通过驱动晶体管3被引出封装件100而不是激光二极管1的两端直接引出封装件100，故改善了半导体激光器的抗冲击电流能力。而且，由于电阻器4连接于驱动晶体管3，故激光二极管1更可靠地防止了冲击电流造成的损坏或击穿。