[发明专利]半导体装置

权利要求书

1．一种备有以矩阵状配置的多个存储单元的半导体装置，其特征在于：

包括：

作为所述多个存储单元中的1个的第1存储单元；

在所述第1存储单元上形成的字线；以及

在所述字线上通过第1层间绝缘膜形成的低电阻的第1分流布线，

对于与所述字线延长的方向大体正交的方向上邻接地配置的所述多个存储单元的每个单元，至少形成一条所述第1分流布线，

所述字线与所述第1分流布线在分流用的第1连接区域中进行导电连接，

所述第1连接区域形成在与所述第1存储单元平面重叠的区域中。

2．一种备有以矩阵状配置的多个存储单元的半导体装置，其特征在于：

包括：

作为所述多个存储单元中的1个的第1存储单元；

在所述第1存储单元上形成的第1接地线；以及

在所述第1接地线上通过第1层间绝缘膜形成的低电阻的第1分流布线，

对于与所述第1接地线的延长方向大致正交的方向上邻接地配置的所述多个存储单元中的至少每2个单元，形成一条所述第1分流布线，

所述第1接地线和所述第1分流布线在分流用的第1连接区域中进行导电连接，

所述第1连接区域形成在与所述第1存储单元平面重叠的区域上。

3．如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

还包括：

在与所述第1接地线的延长方向大致正交的方向上与所述第1存储单元邻接地配置的第2存储单元；以及

在所述第2存储单元上与所述第1接地线大致平行地延伸而形成的第2接地线，

所述第1接地线与所述第2接地线进行导电连接。

4．如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还包括：

在所述第1存储单元上形成的接地线；以及

在所述字线和所述接地线上通过所述第1层间绝缘膜形成的低电阻的第2分流布线，

对于与所述字线的延长方向大致正交的方向上邻接地配置的所述多个存储单元中的至少每2个单元，形成一条所述第2分流布线，

所述接地线和所述第2分流布线在分流用的第2连接区域中进行导电连接，

所述第2连接区域形成在与所述第1存储单元平面重叠的区域上。

5．如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还包括在位于所述字线和所述所述第1分流布线之间的区域上形成的电源供给线，

将所述电源供给线配置成不与所述第1连接区域在平面上重叠。

6．如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还包括在位于所述字线和所述第1分流布线之间的区域上形成的接地线，

将所述接地线配置成不与所述第1分流连接区域在平面上重叠。