[发明专利]半导体器件及其生产方法

权利要求书

1、一种半导体器件，其特征在于包含：

一半导体基片；

一形成在所述基片表面上的基极区；

一形成在基极区上并被分割为N型区P型区的多晶硅膜；

通过从所述多晶硅膜向所述基极区扩散杂质而形成的外基极层和发射极扩散层；及

形成在多晶硅层表面上从而构成基极电极及发射极电极的多边膜。

2、一种半导体器件的生产方法，其特征在于包含如下步骤：

去除基极区上的一部分所述氧化膜以形成用于接点的开口；

在所述开口上直接沉积多晶硅膜；

干蚀基极区上的多晶硅膜从而将其划分为包含具有与基极区相同导电型杂质的一区域及包括具有与基极区相反导电型杂质的另一区域；

通过加热将杂质从多晶硅膜扩散到基极区，由此形成外部基极层及发射极层；及

将多晶硅膜的表面形成为多边膜以降低电阻，从而形成作为发射极及基极电极的多晶硅膜。

3、一种半导体器件的生产方法，其特征在于包含如下步骤：

通过选择氧化而氧化半导体基片的一部分以形成场区；

将半导体基片的反导电型杂质注入部分半导体基片内以形成集电极引出区；

用由光刻技术形成的光刻胶作为掩膜，以高能量植入离子，形成N阱区及P型元件隔离区；

将P型杂质注入基片的整个表而以形成基极区，并去除表面上的部分氧化硅膜以形成开口；

接着用化学气相沉积(CVD)方法顺序沉积多晶硅膜、氧化硅膜及氮化硅膜，并用由光刻技术形成的光刻胶图形作为摸膜植入离子，在所述多晶硅膜内形成N型区及P型区；

用光刻胶作掩膜并通过各向异性干蚀；

将所述多晶硅膜划分为所述N型区及P型区；

用光刻胶作掩膜在基极形成状况下注入离子；

通过用基片表面上的氮膜作掩膜氧化多晶硅膜的侧壁；

去除氮膜，通过溅射技术在基片上形成金属，并加热将多晶硅膜的表面转换为多边膜；

在基片的整个表面上形成夹层膜；及

通过干蚀在夹层膜内形成用于接点的开口，并与金属布线相连。

4、根据权利要求3所述的半导体器件的生产方法，其特征在于在开口形成步骤中在基极区上形成一个开口。

5、根据权利要求3所述的半导体器件的生产方法，其特征在于在夹层膜形成步骤中，通过化学气相沉积方法沉积非掺杂氧化膜，并连续沉积含硼及磷的氧化膜以形成夹层膜。