[发明专利]具有基准单元阵列块的铁电随机存取存储器器件无效
| 申请号： | 98117447.7 | 申请日： | 1998-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1212434A | 公开（公告）日： | 1999-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郑东镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 基准 单元 阵列 随机存取存储器 器件 | ||
【权利要求书】：
1．一种非易失性半导体存储器器件，包括：
一个具有多条位线的阵列，多条与所述位线交叉的字线，和多个分布在所述位线和字线交叉处的铁电存储单元；
一个基准单元阵列，该阵列具有多条对应于所述位线的基准位线并且具有多个基准单元阵列块共同与基准位线耦合，每条基准位线具有一条基准字线，该基准单元阵列还具有多个分布在所述基准字线和基准位线交叉处的基准单元；和
一个与所述位线和基准位线相连的读出放大器，用于通过使用来自基准阵列的基准电压检测和放大存储在一个被寻址的铁电存储器单元中的数据；
其特征在于，在一个晶片测试模式下通过使用基准单元阵列块，读出放大器所使用的基准电压是可变的。
2．根据权利要求1的非易失性半导体存储器器件，其特征在于，在各基准单元阵列块中的每一个所述基准单元包含一个铁电电容器，其中在一个基准单元阵列块中的铁电电容器的尺寸与每一个铁电存储单元中的电容器的尺寸相同。
3．根据权利要求2的永久性半导体存储器器件，其特征在于，在其它各基准单元阵列块中的基准单元所包含的铁电电容器的尺寸与每一个铁电存储单元中的电容器的尺寸不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98117447.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
