[发明专利]槽形栅静电感应器件无效
| 申请号： | 98117564.3 | 申请日： | 1998-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1055350C | 公开（公告）日： | 2000-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/745 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 槽形栅 静电感应 器件 | ||
1.一种槽形栅静电感应器件，包括下层为低阻层、上层为N-型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层，硅衬底片的上表面是N+型源区，硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽，每条槽的底部是P+型栅区，硅衬底片的下层低阻层是漏区，漏区的下面是漏电极金属层，其特征在于：
所述源区的上面连接掺磷多晶硅层，该掺磷多晶硅层与源电极金属层连接，
所述每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层，侧面绝缘层的上面连接掺磷多晶硅层。
2.如权利要求1所述的槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述每条槽的底面绝缘层上连接掺磷多晶硅层。
3.如权利要求1所述的槽形栅静电感应器件，其特征在于：在所述相邻两条槽之间的硅衬底片上层的上表面全部为高磷浓度N+型源区。
4.如权利要求1所述的槽形栅静电感应器件，其特征在于：在所述相邻两条槽之间的硅衬底片上层的上表面的中间部位为高磷浓度N+型源区。
5.如权利要求1所述的槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述硅衬底片下层低阻层漏区为P+型漏区。
6.如权利要求1所述的槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述硅衬底片下层低阻层漏区为N+型漏区。
7.如权利要求1所述的槽形栅静电感应器件，其特征在于：在所述槽形栅区的槽底有一层金属硅化物，该金属硅化物层的上面覆盖绝缘层。
8.如权利要求1所述的槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述槽的深度为1-3微米。
9.如权利要求1所述的槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述两条相邻槽的间距是1-5微米。
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