[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98117899.5 | 申请日： | 1998-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1211814A | 公开（公告）日： | 1999-03-24 |
| 发明（设计）人： | 根岸均 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1．一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在半导体基片上进行多个化合物半导体结晶层的生长的分子线外延生长过程中，在生长包含In的化合物半导体结晶层后，暂时停止包含As的全部供给，在基片温度上升到In的再蒸发开始温度以上后，生长与包含In的所述化合物半导体不同的半导体结晶层。
2．如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包含In的所述化合物半导体结晶为InGaAs、InAlAs。
3．如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述再蒸发开始温度在600℃至630℃的范围内。
4．一种半导体器件的制造方法，该半导体器件在GaAs基片上有非掺杂GaAs缓冲层、非掺杂InGaAs沟道层、Si掺杂AlGaAs电子供给层，在所述电子供给层上有栅极和Si掺杂GaAs间隔层，在该Si掺杂GaAs间隔层上有源极和漏极，其特征在于，在形成所述非掺杂InGaAs沟道层后，暂时停止包含As的全部供给，在把基片升温到600℃至630℃范围后，形成所述Si掺杂AlGaAs电子供给层。
5．一种半导体器件的制造方法，该半导体器件在GaAs基片上有非掺杂GaAs缓冲层、非掺杂InGaAs沟道层、非掺杂AlGaAs衬垫层、Si平面掺杂层、非掺杂AlGaAs阻挡层，在所述阻挡层上有栅极和Si掺杂GaAs间隔层，在该Si掺杂GaAs间隔层上有源极和漏极，其特征在于，在形成所述非掺杂InGaAs沟道层后，暂时停止包含As的全部供给，在把基片升温到600℃至630℃范围后，再下降至550℃，形成所述非掺杂AlGaAs衬垫层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
