[发明专利]金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法

权利要求书

1．一种金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干刻蚀方法，其特征是将光致抗蚀膜作为掩蔽膜片，在0.1Pa-50Pa的压力范围内，以含有碘化氢气体等离子体，对金属氧化物进行干蚀刻后，再在0.1-1000Pa的压力范围内，以含氧气体等离子体进行去除光致抗蚀膜，以此进行金属氧化物的电路图形加工，在进行金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法中，使用含有从氟气和氟化物气组，和氮气和氮化物气组中选出的至少一种气体和碘化氢混合的含碘化氢气体，对金属氧化物进行干蚀刻。

2．根据权利要求1中记载的金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法，其特征是将碘化氢气体的体积流量定为G_HI，将由氟气和氟化合物气组中选出气体的体积流量定为G_FI，将由氮气和氮化合物气组中选出的气体体积流量定为G_NI，再将体积流量比X_FI定义为X_FI=G_FI/G_HI，将体积流量比Y_NI定义为Y_NI=G_NI/G_HI时，X_FI和Y_NI所满足的范围规定为，(式1)、(式2)及(式3)

        0.0004≤X_FI²+Y_NI²≤0.045   (1)

        X_FI≥0                      (2)

        Y_NI≥0                      (3)

3．根据权利要求2中记载的金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法，其特征是将碘化氢气的体积流量定为G_HI，将由氟·氮化合物气组中选出的气体体积流量定为G_FNI，将由体积流量比Z_FNI定义为Z_FNI=G_FNI/G_HI时，Z_FNI的满足范围规定为(式4)

        0.02≤Z_FNI≤0.15           (4)

4．根据权利要求1中记载的金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法，其特征是在使用含权利要求1中记载的碘化氢气体，对金属氧化物进行干蚀刻后，在0.1-1000Pa的压力范围内，使用含氧气体等离子体，去除光致抗蚀膜，在金属氧化物/光致抗蚀膜和层体的干蚀刻方法中，使用从氟气和氟化合物气组和氮气和氮化合物气组中选出的至少一种的气体，与氧气混合的含氧气体，对光致抗蚀膜进行干蚀刻去除。

5．根据权利要求4中记载的金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法，其特征是将氧气的体积流量定为G_O，将由氟气和氟化合物气组中选出的气体体积流量定为G_FO，将由氮气和氮化合物气组中选出的气体体积流量定为G_NO，将体积流量比X_FO定义为X_FO=G_FO/G_O，将体积流量比Y_NO定义为Y_NO=G_NO/G_O时，X_FO和Y_NO的满足范围，规定为(式5)、(式6)及(式7)

0.05≤X_FO+Y_NO≤6.0    (5)

X_FO≥0                (6)

Y_NO≥0                (7)