[发明专利]酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺

权利要求书

1、一种酸性无显影气相光刻胶，其特征在于光刻胶的组成(重量百分比)为：

成膜物质：  8～9％

增成剂：    0.5～1.0％

光敏产酸物：0.5～1.0％

溶剂：      90％

上述的成膜物质为肉桂酸类树脂，增感剂为1-羟基环己基苯甲酮和5-硝基苊、5-硝基苊和N-苯基吩噻嗪以及1-羟基环己基苯甲酮和安息香二甲醚三种组合中的任何一种，光敏产酸物为二芳基碘翁盐或三芳基硫翁盐，溶剂为N，N-二甲基甲酰胺和乙酸乙二醇乙醚，将上述物质按比例混合，待聚合物完全溶解后，即为酸性无显影气相光刻胶。

2、一种用权利要求1所述的光刻胶刻蚀氮化硅的方法，其特征在于，刻蚀工艺包括以下各步骤：

(1)在沉积有氮化硅膜的硅片样品上涂上光刻胶，60℃～90℃下烘干5～30分钟，烘烤后膜厚为300-500nm；

(2)对样品加掩膜进行曝光；

(3)用稀释氢氟酸气体对曝光后的样品进行腐蚀；

(4)腐蚀后，采用清洗液去除光刻胶，清洗液的成份为∶氨水∶双氧水∶去离子水＝1∶2∶4，除去样品表面的光刻胶，即得到正性光刻图形。

3、如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于其中所述的腐蚀步骤为，用氮气或空气鼓泡经氢氟酸溶液进入刻蚀设备，氮气流量为0.2～0.6l/min，反应器内压力为0.05～0.15Mpa，反应温度为110℃～160℃，刻蚀5～25分钟。