[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98118382.4 | 申请日： | 1994-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1222752A | 公开（公告）日： | 1999-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;宫永昭治;高山彻;大谷久;竹村保彦;竹山顺一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非,陈景峻 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1．一种制造半导体器件的方法包括步骤：
在非晶硅膜的表面上掺入促进晶化的催化剂元素的步骤；
利用热处理，使部分非晶硅膜晶化的步骤；
把光照射到结晶硅膜的步骤，
其中通过控制由于热处理的结晶度和由于光照射的结晶度，将硅膜的结晶取向度(111)控制在0.33-1，其中结晶取向度被定义为{取向度(111)/{取向度(111)+取向度(220)+取向度(311)}；和
通过控制催化元素的掺入量来实现对由于加热处理引起的晶化度的控制。
2．权利要求1的方法，其中催化元素包括从包括Ni,Pd,Pt,Cu,Ag,Au,In,Sn,Pb,As和Sb的组中选择的一或几种元素。
3．权利要求1的方法，其中硅膜的所述取向度(111)是0.67-1。
4．权利要求1的方法，其中催化元素包括从包括组Ⅶ,Ⅲb,Ⅴb，和Ⅳb的组中选择出的一或几种元素。
5．一种制造半导体器件的方法包括步骤：
在底层膜上形成的非晶硅膜的表面上掺入促进晶化的催化剂元素的步骤；
利用热处理，使部分非晶硅膜晶化的步骤；
把光照射到结晶硅膜的步骤，
其中通过控制由于热处理的结晶度和由于光照射的结晶度，将硅膜的结晶取向度(111)控制在0.33-1，其中结晶取向度(111)被定义为{取向度(111)/{取向度(111)+取向度(220)+取向度(311)}。
6．权利要求5的方法，其中硅膜的所述取向度(111)是0.67-1。
7．权利要求5的方法，其中催化元素包括从包括Ni,Pd,Pt,Cu,Ag,Au,In,Sn,Pb,As和Sb的组中选择的一或几种元素。
8．权利要求5的方法，其中催化元素包括从包括组Ⅶ,Ⅲb,Ⅴb,和Ⅳb的组中选择出的一或几种元素
9．制造半导体器件的方法包括：
在非晶硅膜的表面上掺入促进晶化的催化剂元素的步骤；
利用热处理，使部分非晶硅膜晶化的步骤；
把光照射到结晶硅膜的步骤，
其中通过控制由于热处理的结晶度和由于光照射的结晶度，将硅膜的结晶取向度(111)控制在0.33-1，其中结晶取向度被定义为{取向度(111)/{取向度(111)+取向度(220)+取向度(311)}。
10．权利要求9的方法，其中硅膜的所述取向度(111)是0.67-1。
11．权利要求9的方法，其中催化元素包括从包括Ni,Pd,Pt,Cu,Ag,Au,In,Sn,Pb,As和Sb的组中选择的一或几种元素。
12．权利要求9的方法，其中催化元素包括从包括组Ⅶ,Ⅲb,Ⅴb,和Ⅳb的组中选择出的一或几种元素
13．权利要求1的方法，其中所述硅膜构成液晶显示器的薄膜晶体管的一个沟道形成区。
14．权利要求5的方法，其中所述硅膜构成液晶显示器的薄膜晶体管的一个沟道形成区。
15．权利要求9的方法，其中所述硅膜构成液晶显示器的薄膜晶体管的一个沟道形成区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98118382.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：催化剂和在该催化剂存在下制备醛类的方法
- 下一篇：复方滴鼻液
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
