[发明专利]改进型含氢抑制剂的锌铬稳定剂

权利要求书

1．一种将稳定层徐覆到铜箔的至少一面上的方法，包含利用电解液接触该箔的所述的一面，该电解液包含锌离子、铬离子以及至少一种氢抑制剂。

2．如权利要求1所述的方法，其中所述的氢抑制剂包含：P⁺³、V⁺⁵、W⁺⁶、As⁺⁵、As⁺³、Pb⁺²、Ph⁺⁴、Hg⁺¹、Hg⁺²、Cd⁺²或季铵离子。

3．如权利要求1所述的方法，其中所述的氢抑制剂是：P⁺³、W⁺⁶或V⁺⁵。

4．如权利要求1所述的方法，其中所述的氢抑制剂是：P⁺³。

5．如权利要求1所述的方法，其中所述的箔是电沉积的铜箔。

6．如权利要求1所述的方法，其中所述的箔是轧制的铜箔。

7．如权利要求1所述的方法，其中铬离子对锌离子的摩尔比约为0.2-10，锌离子对所述氢抑制剂离子的摩尔比约为0.4-10。

8．如权利要求1所述的方法，其中箔具有毛面和光面，该方法包含利用电解液接触所述的毛面。

9．如权利要求1所述的方法，其中箔具有毛面和光面，该方法包含利用电解液接触所述的光面。

10．如权利要求1所述的方法，其中该方法包含利用电解液接触所述箔的两面。

11．如权利要求1所述的方法，其中与电解液接触的箔的该面有标准的齿状分布表面。

12．如权利要求1所述的方法，其中与电解液接触的箔的该面有低的齿状分布表面。

13．如权利要求1所述的方法，其中与电解液接触的箔的该面有很低的齿状分布表面。

14．如权利要求1所述的方法，其中将铜或氧化铜的枝状层涂敷到箔的至少一面上，所述接触导致所述稳定层的沉积覆盖到所述铜或氧化铜的枝状层上。

15．如权利要求1所述的方法，其中所述接触导致稳定层的沉积覆盖到所述箔的至少一面上，所述方法还包含在所述稳定层上沉积一层硅烷耦合剂。

16．如权利要求1所述的方法，其中所述电解液包含约0.1-2克/升的锌离子、约0.3-5克/升的铬离子，以及约5-1000ppm的氢抑制剂。

17．如权利要求1所述的方法，其中所述电解液包含约0.3-0.6克/升的锌离子，约0.5-1克/升的铬离子，以及约150-250ppm的P⁺³离子。

18．如权利要求1所述的方法，其中所述电解液包含约0.4-0.5克/升的锌离子，约0.65-0.85克/升的铬离子，以及200ppm的P⁺³离子。

19．如权利要求1所述的方法，其中所述的电解液还包含约1-50克/升的Na₂SO₄。

20．如权利要求1所述的方法，其中所述电解液的温度约为20-100℃，所述电解液的pH值约为3-6。

21．如权利要求1所述的方法，其中所述电解液的温度约为25-45℃，所述电解液的pH值约为4-5。

22．如权利要求1所述的方法，其中电流密度约为1-100安/平方英尺，电镀时间约为1-30秒。

23．一种铜箔，在该箔的至少一面上覆盖有稳定层，利用一种方法将该稳定层涂敷到该箔的所述一面上，该方法包括将一种含有锌离子，铬离子和至少一种氢抑制剂的电解液与该铜箔的所述一面相接触。

24．一种层压件，包含绝缘衬底和附着在该绝缘衬底上的铜箔，该铜箔在其至少一面上粘接有稳定层，利用一种方法将该稳定层涂敷到该箔的所述一面上，该方法包括将一种含有锌离子、铬离子、和至少一种氢抑制剂的电解液与该铜箔的所述一面相接触。