[发明专利]在集成电路上形成电可熔断熔丝的制造方法

权利要求书

1．一种在半导体衬底上制造电可熔断熔丝的方法，包括：

在所说半导体衬底上形成熔丝部分，所说熔丝部分构形成在超过预定电流水平的电流经过所说熔丝部分时，该部分能转变为基本不导电状态；

在所说熔丝部分上面淀积基本保形的第一介质材料层；

在所说第一层上淀积第二介质材料层，所说第二层与所说第一层不同，由此在所说熔丝部分上面形成介质材料的凸出部分；

对所说凸出部分上进行化学机械抛光，以在所说凸出部分上形成穿过所说第二层的开口；

通过所说开口以基本各向同性的方式腐蚀部分所说第一层，在所说熔丝部分周围形成微腔，所说腐蚀实际对所说第二层和所说熔丝部分有选择性；

在所说第二层上淀积基本保形的第三介质材料层，由此密封所说第二层中的所说开口。

2．如权利要求1所述的方法，其中，所说熔丝部分包括多晶硅导体。

3．如权利要求1所述的方法，其中，所说熔丝部分包括金属导体。

4．如权利要求1所述的方法，其中，所说第一层为氧化硅层，所说第二层为氮化硅层。

5．如权利要求1所述的方法，其中，所说第一层为氧化硅层，所说第二层为氮化硅层。

6．如权利要求1所述的方法，其中，所说第一层为掺杂氧化层，所说第二层为氮化硅层。

7．如权利要求1所述的方法，其中，所说第一层为掺磷硅酸盐玻璃(PSG)层，所说第二层为氮化硅层。

8．如权利要求1所述的方法，其中，所说第一层为BPSG层，所说第二层为氮化硅层。

9．如权利要求8所述的方法，其中，用高密度等离子体化学汽相淀积工艺淀积所说第一层。

10．如权利要求9所述的方法，其中，所说化学机械抛光使用软垫。

11．如权利要求1所述的方法，其中，所说熔丝部分包括用氮化硅衬层覆盖的多晶硅导体。

12．如权利要求1所述的方法，其中，所说半导体衬底为用来制备动态随机存取存储器(DRAM)电路的衬底。

13．一种在半导体衬底上制造电可熔断熔丝的方法，包括：

在所说半导体衬底上形成熔丝部分，所说熔丝部分构形成在超过预定电流水平的第一电流经过所说熔丝部分时，该部分能转变为基本不导电状态；

在所说熔丝部分上面淀积基本保形的第一介质材料层；

在所说第一层上淀积基本保形的第二介质材料层，所说第二层与所说第一层不同，由此在所说熔丝部分上面形成包括所说第一层和所说第二层的介质材料的凸出部分；

对所说凸出部分上进行化学机械抛光，以在所说凸出部分上形成穿过所说第二层的开口，由此通过所说开口暴露所说第二层；

通过所说开口腐蚀部分所说第一层，在所说熔丝部分周围形成微腔，所说腐蚀实际对所说第二层和所说熔丝部分有选择性；

在所说第二层上淀积基本保形的第三介质材料层，由此密封所说微腔。

14．如权利要求13所述的方法，其中，所说熔丝部分包括多晶硅导体。

15．如权利要求13所述的方法，其中，所说熔丝部分包括金属导体。

16．如权利要求13所述的方法，其中，所说第一层为氧化硅层，所说第二层为氮化硅层。

17．如权利要求13所述的方法，其中，所说第一层为氧化硅层，所说第二层为氮化硅层。

18．如权利要求13所述的方法，其中，所说第一层为BPSG层，所说第二层为氮化硅层。

19．如权利要求18所述的方法，其中，用高密度等离子体化学汽相淀积工艺淀积所说第一层。

20．如权利要求19所述的方法，其中，所说化学机械抛光使用软盘。

21．如权利要求13所述的方法，其中，按基本各向同性的方式进行所说腐蚀。

22．如权利要求13所述的方法，其中，所说半导体衬底为用来制造动态随机存取存储器(DRAM)电路的衬底。