[发明专利]金属化系统有效
| 申请号： | 98119187.8 | 申请日： | 1998-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1218989A | 公开（公告）日： | 1999-06-09 |
| 发明（设计）人： | 彼得·韦甘德;德克·托本 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属化 系统 | ||
【权利要求书】：
1、一种多层集成电路金属化系统，包括：
在不同的层次上配置的金属引线；
一复合介质层具有一第一介质层和一第二介质层，该第一介质层具有的热导率至少比该第二介质层的热导率大两个数量级；以及
其中该不同的金属层次由该复合介质层隔离。
2、一种集成电路金属化系统，包括：
一半导体衬底；
一配置在该衬底上的多层已制成图形的金属化层；
一配置在一对金属化层之间的复合介质层，这样的复合介质层具有一第一介质层和一第二介质层，该第一介质层具有的热导率至少比该第二介质层的热导率大两个数量级；以及
其中一层已制成图形的金属化层配置在该第一介质层上。
3、根据权利要求2所述的金属化系统，包括穿过复合层并与该第一介质层接触的一导电通路。
4、根据权利要求3所述的金属化系统，包括另一个导电通路，电互连接多个金属化层中的一对；以及
其中该第一层是与该另一个导电通路热接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
