[发明专利]半导体器件的制造工艺无效
| 申请号： | 98119320.X | 申请日： | 1998-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1100342C | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林俊哉;浜田耕治;西尾直治;三好康介;斋藤修一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 工艺 | ||
1.半导体器件的制造工艺，包括以下步骤：
对半导体衬底进行高能离子注入；以及
在等于或高于200℃/秒的直线上升速率下，将所得已离子注入的半导体衬底从1,015℃加热到1,200℃。
在1,015℃到1,200℃的温度下对这样的加热的半导体衬底进行退火处理。
2.根据权利要求1的制造工艺，其中以等于或高于200℃/秒的所述直线上升速率在600℃到800℃的温度下开始所述加热。
3.根据权利要求2的制造工艺，其中在开始所述加热的所述温度下进行第一退火。
4.根据权利要求1的制造工艺，还包括在所述加热步骤之后的第二热处理步骤，其中在从1015℃到1,200℃的温度下进行退火。
5.根据权利要求2的制造工艺，还包括在所述加热步骤之后的第二热处理步骤，其中在从1015℃到1,200℃的温度下进行退火。
6.根据权利要求4的制造工艺，其中所述第二退火步骤在所述加热步骤使用的相同炉内进行。
7.根据权利要求5的制造工艺，其中所述第二退火步骤在所述加热步骤使用的相同炉内进行。
8.根据权利要求4的制造工艺，其中使用电炉进行所述第二热处理步骤。
9.根据权利要求5的制造工艺，其中使用电炉进行所述第二热处理步骤。
10.半导体器件的制造工艺，包括以下步骤：
对半导体衬底进行高能离子注入；
在等于或高于50℃/秒的直线上升速率下，将所得的离子注入半导体衬底从1,015℃加热到1,200℃；以及
在1,015℃到1,200℃的温度下对这样加热的半导体衬底进行热处理。
11.根据权利要求10的制造工艺，其中在所述加热步骤之后使用电炉进行第二退火。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
