[发明专利]曝光图形掩模及其制造方法无效
申请号: | 98119343.9 | 申请日: | 1998-09-17 |
公开(公告)号: | CN1211813A | 公开(公告)日: | 1999-03-24 |
发明(设计)人: | 松本明 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 图形 及其 制造 方法 | ||
1.一种曝光图形掩模,其特征在于包括一个由多个布线图形元素组成的集成电路布线图形和一个由提供于所述布线图形元素末端附近的多个虚拟图形元素组成的虚拟图形。
2.如权利要求1所述的曝光图形掩模,其特征在于所述虚拟图形元素被提供于布线图形元素末端附近,当其显现于一个电路板时,其具有一个宽度等于或低于0.3微米的线性段。
3.如权利要求1所述的曝光图形掩模,其特征在于所述虚拟图形由多个点形虚拟图形元素组成。
4.如权利要求3所述的曝光图形掩模,其特征在于所述虚拟图形由多个其边长等于所述线性段宽度的方形虚拟图形元素组成。
5.如权利要求2所述的曝光图形掩模,其特征在于所述虚拟图形元素与所述线性段之间的距离等于所述线性段的所述宽度。
6.如权利要求1所述的曝光图形掩模,其特征在于所述布线图形元素被提供于一个在两个方向上以相同间隔形成的栅格上。
7.如权利要求6所述的曝光图形掩模,其特征在于当所述栅格显现在电路板上时,其间隔等于或低于0.6微米。
8.如权利要求1所述的曝光图形掩模,所述掩模具有一个透光区和一个遮光区,所述布线图形和所述虚拟图形均属于所述遮光区。
9.如权利要求1所述的曝光图形掩模,所述掩模具有一个透光区和一个遮光区,其特征在于所述布线图形和所述虚拟图形均属于所述透光区。
10.用于制造一种曝光图形掩模的方法,其包括由多个布线图形元素组成的一个布线图形和由多个虚拟图形元素组成的一个虚拟图形其特征在于包括如下步骤:
为所述布线图形生成一个数据;
从关于所述布线图形的数据中提取布线图形元素的末端,当显现于一个电路板上时,其具有一个宽度等于或低于0.3微米的线性段;
根据所提取出的末端设置所述虚拟图形元素的位置;及
从所述布线图形数据和所述虚拟图形元素位置数据中生成所述虚拟图形。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于所述布线图形数据包括一个末端位置数据和所述线性段的一个宽度数据。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于所述位置数据被设置以使所述布线图形的所述线性段被排列在一个具有相同间隔的栅格上。
13.如权利要求10所述的方法,其特征在于所述虚拟图形元素以一个其边长等于所述线性段的所述末端的所述宽度的方形形状形成。
14.如权利要求10所述的方法,其特征在于所述虚拟图形元素与所述线性段的相应末端之间的距离等于所述线性段的所述宽度。
15.包括一个由多个布线图形元素组成的集成电路布线图形的曝光图形掩模,其特征在于在以恒定距离彼此平行排列的两个布线图形元素中至少一个的一个末端部分处提供一个缝隙。
16.如权利要求15所述的曝光图形掩模,其特征在于当显现于电路板上时,所述恒定距离等于或低于0.3微米。
17.如权利要求15所述的曝光图形掩模,其特征在于当显现于电路板上时,所述缝隙的宽度等于或低于0.3微米。
18.如权利要求17所述的曝光图形掩模,其特征在于为当显现于电路板上时具有大于0.3微米宽度的布线图形元素提供了所述缝隙。
19.如权利要求15所述的曝光图形掩模,其特征在于所述布线图形元素被形成于在两个方向上具有相同间隔的栅格上。
20.权利要求15所述的曝光图形掩模,其特征在于当所述间隔显现于一个电路板上时其等于或低于0.6微米。
21.如权利要求15所述的曝光图形掩模,所述掩模具有一个透光区和一个遮光区,其特征在于所述布线图形属于所述遮光区,而所述缝隙属于所述透光区。
22.如权利要求1所述的曝光图形掩模,所述掩模具有一个透光区和一个遮光区,其特征在于所述布线图形属于所述透光区,而所述缝隙属于所述遮光区。
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