[发明专利]高阻负载静态随机存取存储器

权利要求书

1．一种SRAM，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上排列成矩阵的多个存储单元，为所述存储单元的每一列设置的一对位线，和为所述存储单元的每一行设置的一对字线，

每个所述存储单元包括第一和第二驱动晶体管，第一转换晶体管，第二转换晶体管，第一电阻和第二电阻，其中每个驱动晶体管具有连接到地线上的源极，用第一扩散区做成的漏极，以及栅极；第一转换晶体管具有用所述第一驱动晶体管的所述第一扩散区做成的第一源/漏区，连接到一个所述位线上的第二源/漏区，和连接到相应的所述字线上的栅极；第二转换晶体管具有用所述第二驱动晶体管的所述第一扩散区做成的第一源/漏区，连接到另一个所述位线上的第二源/漏区，和连接到相应的所述字线上的栅极；第一电阻用第一接触栓做成，将所述第一驱动晶体管的所述第一扩散区和所述第二驱动晶体管的所述栅极与电源线相连；第二电阻用第二接触栓做成，将所述第二驱动晶体管的所述第一扩散区和所述第一驱动晶体管的所述栅极与所述电源线相连。

2．如权利要求1的SRAM，其特征在于，所述驱动晶体管的所述栅极，所述转换晶体管的所述栅极及所述字线，所述地线及所述电源线，和所述位线用第一、第二、第三和第四层导电膜做成。

3．如权利要求2的SRAM，其特征在于，所述第一到第三层导电膜由多晶硅制成，所述第四层导电膜由铝制成。

4．如权利要求2的SRAM，其特征在于，每个所述转换晶体管的所述源/漏区经过第三接触栓连接到所述位线上，该第三接触栓形成在通孔中，该通孔具有使所述第三接触栓与所述地线绝缘的侧壁。