[发明专利]磁头及其制造方法有效
申请号: | 98119399.4 | 申请日: | 1998-09-25 |
公开(公告)号: | CN1213815A | 公开(公告)日: | 1999-04-14 |
发明(设计)人: | 大塚智雄;饭塚雅博;斋藤秀俊 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯电气株式会社;斋藤秀俊 |
主分类号: | G11B5/23 | 分类号: | G11B5/23;G11B5/255;G11B5/31 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 文琦 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及具有安装在如硬盘等装置上的滑块的磁头,特别涉及一种在安装于前述滑块上的薄膜元件的磁芯层表面上,能够直接形成一个碳膜,并可减少空隙损耗的磁头及其制造方法。
图4为表示安装在硬盘等上的现有的磁头的截面图,它是使与记录媒体相对的面朝上表示的。
在这个磁头中,相对于硬盘的移动方向的上游端A称为引导端,下游端B称为从动端。
图4所示的符号1为由陶瓷材料等制成的滑块,在前述滑块1的与硬盘相对的部分上,形成相对表面5(浮起表面:ABS面)。如图所示,这个相对表面5加工成具有给定曲率的凸面形状。另外,在该相对表面5的引导端A上,做出倾斜表面6。
如图4所示,在滑块1的从动端B的端部2上,设有薄膜元件3和用于覆盖该薄膜元件3的保护层8。有关前述薄膜元件3的结构,将在后面详细说明。
又如图4所示,在前述相对表面5和与记录媒体相对的薄膜元件3的表面上,形成由SiO2或Si制成的基底层9,在前述基底层9上还形成了碳膜10。
这个碳膜10为担负作为保护层任务的层。通过形成前述碳膜10,例如,可以防止薄膜元件3的表面腐蚀,又假如即使磁头与记录媒体碰撞,借助该碳膜10,前述薄膜元件3的表面和相对表面5也不易磨损。
图2表示设在滑块1的从动端端部2上的薄膜元件3的结构,它是在图4所示的箭头‖方向看的立体图。另外,在图2上没有表示图4所示的基底层9,碳膜10和保护层8。
如图2所示,在从动端端面2上,形成由NiFe系合金(坡莫合金)等制成的下部屏蔽层11。在该下部屏蔽层11上,通过下部间隙层(图中未示),形成一个磁阻效应元件层12,再在该磁阻效应元件层12上,通过上部屏蔽层(图中未示),形成由NiFe系合金等制成的下部磁芯层(上部屏蔽层)13。
在前述下部磁芯层13上,通过间隙层(图中未示),呈螺旋状地构成线圈层14。另外,在前述线圈层14上,通过绝缘层(图中未示)等,形成上部磁芯层15。前述上部磁芯层15,与下部磁芯层13同样,也是由NiFe系合金等磁性材料制成。
如图2所示,前述上部磁芯层15的前端部分,通过磁隙G,与下部磁芯层13相对,而前述上部磁芯层15的基端部分15a与前述下部磁芯层13接合。
这个薄膜元件3为从其下部屏蔽层11至下部磁芯层(上部屏蔽层)13的多层膜,利用磁阻效应,检测从硬盘等记录媒体发出的泄漏磁场,读取磁性信号的MR头(读出头)。在这个MR头上,层叠着由从下部磁芯层13至上部磁芯层15的多层膜构成的电感磁头(写入磁头)。
图4所示的磁头的滑块1支承在固定于负载横梁顶端的弯曲部分上。滑块1利用由板弹簧构成的负载横梁的弹力靠在硬盘上。这种磁头可在所谓的CSS(接触,开始,停止)方式的硬盘装置上使用。当硬盘停止时,前述弹力,使滑块1的相对表面5与硬盘的记录表面接触。当硬盘开始运动时,空气流沿着硬盘的移动方向,被导入滑块1和硬盘表面之间,相对表面5受到空气流引起的浮力作用因此,滑块1从硬盘表面只浮起一小段距离。
在浮起姿势方面,引导端A比从动端B在硬盘上保持高位的倾斜的浮起姿势。在这个浮起姿势下,利用图2所示的薄膜元件3的下部磁芯层13和上部磁芯层15之间产生的泄漏磁场,可将记录信号写入硬盘,或者,利用前述薄膜元件3的磁阻效应元件层12,检测从硬盘发出的磁性信号。
可是,在现有的技术中,在滑块1的相对表面5和薄膜元件3的表面上,通过基底层9,形成了作为保护层的碳膜10。然而,假如不设置前述基底层9,而直接在薄膜元件3的表面上形成碳膜10时,则碳膜10会剥离,并且,前述碳膜10不能均匀地形成,而是在前述碳膜10的表面上,形成凹凸部分,或者,前述碳膜10变成斑状等,这些都是不好的。
这些不好的情况是由薄膜元件3的磁芯层表面的晶体结构引起的。如上所述,图2所示的下部磁芯层13和上部磁芯层15,由NiFe系合金制成,当用X射线衍射研究前述磁芯层13,15的晶体结构时发现,在磁芯层13,15的内部,是以γ相(面心立方晶格)为主体,而在前述磁芯层13,15的表面,则是以α相(体心立方晶格)为主体的。这种α相的膜非常厚,前述膜厚最大可达200微米。
这样,当磁芯层13,15的表面的晶体结构是由膜厚较厚的α相构成时,在前述磁芯层13,15的表面上直接形成碳膜10的情况下,在前述α相和碳膜10之间,会产生异常的扩散。因此,前述碳膜10的膜厚就不均匀,还会产生前述碳膜10剥离等问题。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔卑斯电气株式会社;斋藤秀俊,未经阿尔卑斯电气株式会社;斋藤秀俊许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98119399.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一次性尿布
- 下一篇:具有游戏功能的计步器