[发明专利]从半导体晶片中分离芯片的方法无效
申请号: | 98119457.5 | 申请日: | 1998-10-07 |
公开(公告)号: | CN1225502A | 公开(公告)日: | 1999-08-11 |
发明(设计)人: | 松冈敬;林一夫;竹野祥瑞;森安雅治 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/302 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 晶片 分离 芯片 方法 | ||
1.通过用光轴受控于执行扫描位置数值控制的扫描控制装置以扫描X-Y平面的激光束照射晶片来从半导体晶片分离所需芯片的方法,包括以下步骤:
将沿着X轴和Y轴的对应于半导体晶片上的芯片尺寸的切割间距输入到扫描控制装置;
为扫描控制装置规定非划线区坐标用于在输入间距的步骤中形成的假想划线;以及
通过将激光束照射到规定非划线区之外的划线形成划线槽,其中扫描控制装置以指定间距沿着X和Y的任一方向将激光束的光轴扫描过半导体晶片,然后以指定间距沿另一方向扫描光轴,从而分离芯片。
2.根据权利要求1的方法,其中输入间距的步骤包括以下步骤:
输入包括两个或多个在坐标平面上构成块状区域的芯片的一个块的块单位间距;以及
而后输入块状区域内的切割间距。
3.根据权利要求1的方法,其中规定非划线区的步骤包括指定包含一个或多个芯片的一个或多个大范围划线区的坐标,以及指定每一个大范围划线区中的非划线区;以及
大范围划线区外的所有区域定义为非划线区。
4.根据权利要求3的方法,其中大范围划线区规定为不包括位于半导体晶片外围附近的无用芯片区或构造于半导体晶片上的理论上可得到的芯片之外的区域。
5.根据权利要求3的方法,其中大范围划线区以芯片为单位指定。
6.根据权利要求3的芯片分离方法,其中大范围划线区指定为包含多个芯片。
7.根据权利要求1的方法,其中从已通过所述步骤分离了所述芯片的同一半导体晶片上,进一步通过所述步骤分离其它芯片。
8.根据权利要求1的方法,进一步包括以下步骤:预先给扫描控制装置指定半导体晶片上的两个或多个定位标志的坐标;
借助于位置检测装置检测固定于平台的半导体晶片上的这两个或多个定位标志,从而确定标志的X-Y坐标;
比较标志的坐标数据,以便测定坐标轴相对于晶片的旋转角;以及
按在由激光束扫描形成窄槽的步骤中以倾斜了旋转角的X方向和Y方向的方向扫描。
9.根据权利要求1的方法,其中为了分离芯片预先在半导体晶片上形成划线槽。
10.根据权利要求9的方法,其中划线槽由一种在其底部形成的具有高激光吸收率的金属膜覆盖。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造