[发明专利]三维只读存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维只读存储器，包括一含有晶体管的半导体衬底，其特征在于包括：

至少两个叠置在所述衬底上的只读存储层，其中，每一只读存储层包括多个只读存储元和多个地址选择线；以及

多个形成在所述只读存储层和半导体衬底之间、用于提供所述只读存储层和所述半导体衬底之间连接的层间连接通道口和/或接触通道孔。

2.根据权利要求1所述的三维只读存储器，其特征在于还具有：一层间绝缘膜，该层间绝缘膜位于所述只读存储层中的至少部分第一只读存储层和至少部分第二只读存储层之间。

3.根据权利要求1所述的三维只读存储器，其特征还在于：所述第一只读存储层含有第一地址选择线，第二只读存储层含有第二地址选择线，第一地址选择线和第二地址选择线相互连接。

4.根据权利要求1-3所述的三维只读存储器，其特征在于还具有：所述只读存储层的地址译码器，其中，至少部分所述地址译码器由部分位于所述半导体衬底上的晶体管构成。

5.根据权利要求4所述的三维只读存储器，其特征在于还具有：一布线层，该布线层使至少部分所述地址译码器能位于至少一个只读存储层的下方。

6.根据权利要求1-3所述的三维只读存储器，其特征在于还具有：至少一所述只读存储层含有多个沿第一方向排列且相互平行的第一类地址选择线和多个沿第二方向排列且相互平行的第二类地址选择线，所述第一类地址选择线通过接触通道孔与所述半导体衬底连接，所述接触通道孔在该半导体衬底上的投影落在至少两条直线上。

7.根据权利要求1-3所述的三维只读存储器，其特征还在于：该半导体衬底上的电路含有常规存储器和/或常规处理器。

8.根据权利要求1-3所述的三维只读存储器，其特征在于：所述只读存储元含有第一电极、第二电极以及一位于该二电极之间的准导通膜，其中，在读电压下所述准导通膜的电阻较小；当所述只读存储元上的电压小于读电压时，其电阻较大。

9.根据权利要求8所述的三维只读存储器，其特征还在于：所述第一电极、第二电极均含有金属材料。

10.根据权利要求8所述的三维只读存储器，其特征还在于：所述准导通膜含有半导体材料。

11.根据权利要求8所述的三维只读存储器，其特征还在于：当所述只读存储元上的电压的方向与读电压的方向相反时，所述准导通膜的电阻较大。

12.根据权利要求11所述的三维只读存储器，其特征还在于：所述准导通膜含有第一半导体膜和第二半导体膜，其中，第一半导体膜和第二半导体膜是反向掺杂的。

13.根据权利要求8所述的三维只读存储器，其特征还在于：所述准导通膜具有非单晶结构。

14.根据权利要求8所述的三维只读存储器，其特征在于：所述只读存储元具有一位于所述第一电极和所述第二电极之间的反熔丝膜。

15.根据权利要求14所述的三维只读存储器，其特征在于还具有：一位于所述反熔丝膜和准导通膜之间的缓冲膜。

16.一种三维只读存储器，包括一含有晶体管的半导体衬底，其特征在于包括：

一绝缘介质膜，该绝缘介质膜覆盖至少部分该半导体衬底且是平面化的；

至少一个叠置在所述绝缘介质膜上的只读存储层，所述只读存储层包括多个只读存储元和多个地址选择线；以及

多个形成在所述只读存储层和半导体衬底之间、用于提供所述只读存储层和所述半导体衬底之间连接的层间连接通道口和/或接触通道孔。

17.根据权利要求16所述的三维只读存储器，其特征在于还具有：所述只读存储层的地址译码器，其中，至少部分所述地址译码器由部分位于所述半导体衬底上的晶体管构成。

18.根据权利要求17所述的三维只读存储器，其特征在于还具有：一布线层，该布线层使至少部分所述地址译码器能位于至少一只读存储层的下方。