[发明专利]加速度传感器与三轴加速度传感器

权利要求书

1．加速度传感器，具有：

压电陶瓷基片；

表面电极图形，它包括形成于上述压电陶瓷基片表面上的，输出对应于加速度的信号的加速度探测电极、将此加速度探测电极的输出输出到外部的输出电极、以及将上述两种电极电连接的布线图形；

相对电极图形，它形成于上述压电陶瓷基片的背面上且至少是同上述加速度探测电极相对；

重锤，它相对于上述压电陶瓷基片按固定状态设置，在前述形成有加速度探测电极的区域中产生相对于前述加速度的应力；

低电容率层，它至少是设置在前述布线图形的全部或其主要部分与前述压电陶瓷基片之间，

其中，所述低电容率层的介电常数充分地小于所述压电陶瓷基片的介电常数，

且所述压电陶瓷基片的加速度探测电极和相对电极图形之间的部分实施有极化处理。

2．权利要求1所述的加速度传感器，其中所述重锤被直接接合到压电陶瓷基片背面的中央部上。

3．权利要求1所述的加速度传感器，其中所述压电陶瓷基片的背面上接合有膜片，而所述重锤则设于此膜片的中央部上。

4．权利要求1所述的加速度传感器，其中所述低电容率层被设在所述布线图形中位于形成有前述加速度探测电极的区域之外的布线图形部分与前述压电陶瓷基片之间。

5．权利要求4所述的加速度传感器，其中所述低电容率层还设置于前述输出电极与压电陶瓷基片之间。

6．权利要求1所述的加速度传感器，其中选择前述低电容率层的介电常数与厚度，使得由于所述布线图形与输出电极和前述相对电极图形之间存在有静电电容而导致的前述输出电极输出的加速度信号电平的降低，能够达到实质上可忽略的程度。

7．权利要求1所述的加速度传感器，其中所述低电容率层的介电常数小于压电陶瓷基片介电常数的1/100，而其厚度则大于压电陶瓷基片厚度的0.2倍。

8．权利要求7所述的加速度传感器，其中前述低电容率层是由以玻璃或热固性树脂为主要成分形成的。

9．权利要求7所述的加速度传感器，其中所述低电容率层是以热固性树脂为主要成分形成的，而所述加速度输出电极是用将导电性粉末加于热固性树脂中所成的导电膏形成的。

10．三轴加速度传感器，具有：

压电陶瓷基片；

表面电极图形，它包括形成于上述压电陶瓷基片表面上的，探测X轴方向加速度的1个以上的X轴方向加速度探测电极、探测Y轴方向加速度的1个以上的Y轴方向加速度探测电极、探测Z轴方向加速度的1个以上的Z轴方向加速度探测电极、1个以上的X轴方向加速度输出电极、1个以上的Y轴方向加速度输出电极、1个以上的Z轴方向加速度输出电极、连接所述1个以上X轴方向加速度探测电极与1个以上X轴方向加速度输出电极的第1布线图形、连接所述1个以上Y轴方向加速度探测电极与1个以上Y轴方向加速度输出电极的第2布线图形、连接所述1个以上Z轴方向加速度探测电极与1个以上Z轴方向加速度输出电极的第三布线图形；

相对电极图形，它形成于所述压电陶瓷基片的背面上，且至少是与所述1个以上的X轴方向加速度探测电极、所述1个以上的Y轴方向加速度探测电极以及所述1个以上的Z轴方向加速度探测电极相对；

重锤，它呈圆柱状或圆筒形，相对于所述压电陶瓷基片按固定状态配置，在形成有所述1个以上的X轴方向加速度探测电极、所述1个以上的Y轴方向加速度探测电极以及所述1个以上的Z轴方向加速度探测电极的区域中，产生与所述加速度相对应的应力；

低电容率层，它至少设置在前述第1～3的布线图形中全部或其主要部分与压电陶瓷基片之间，

其中，上述低电容率层的介电常数充分地小于上述压电陶瓷基片的介电常数，

同时对所述1个以上的X轴方向加速度探测电极、1个以上的Y轴方向加速度探测电极及所述1个以上的Z轴方向加速度探测电极和所述相对电极图形之间的部分，进行了极化处理。

11．权利要求10所述的三轴加速度传感器，其中上述重锤直接接合到所述压电陶瓷基片背面的中央部上。

12．权利要求10所述的三轴加速度传感器，其中在上述压电陶瓷的背面上接合有膜片，而所述重锤则设于此膜片的中央部。