[发明专利]具有阈值补偿功能的动态型半导体存储器件

权利要求书

1、一种动态型半导体存储器件，它包括

(a)一个第一分级补偿位线(SBL、/GBL)；

(b)一个第二分级补偿位线(/SBL、GBL)；

(c)一个电连接于所述第一位线(SBL、/GBL)的第一读出放大器(30、52)；和

(d)至少一个电连接于所述第一位线(SBL、/GBL)和所述第二位线(SBL、/GBL)的第二读出放大器(5、41、42、51)，

其特征在于，它又含有

(e)位于用于每个第二读出放大器(5、41、42、51)的所述第一位线(SBL、/GBL)和所述第二位线(/SBL、GBL)之间的一个电容器(12、13)；和

(f)在所述第一位线和所述第二位线(SBL、/GBL；/SBL、GBL)之间与所述电容器(12、13)串接的一个转移栅。

2、如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容器(12、13)的一端电连接于所述第二位线(/SBL、GBL)，另一端电连接于所述转移栅的一个信号端，所述转移栅的另一个信号端电连接于所述第一位线(SBL、/GBL)。

3、如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二和第一读出放大器(5、41、42、51；30、52)中的每一个都被连续激活两次，

在所述第一位线(SBL、/GBL)上被第一次放大的一个第一电压通过所述电容器(12、13)和所述转移栅被转移到所述第二位线(/SBL、GBL)；

从一个被选中的存储单元中被读出到所述第二位线(/SBL、GBL)上的一个差分电压被放大到一个与所述第一电压不同的差分电压，以第二次激活所述第一读出放大器(30、52)。

4、如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，它还进一步包括一个位于所述第二位线(/SBL、GBL)之间的用来把所述第二位线(/SBL、GBL)分成第一段和第二段的一个第二转移栅，其中，不同的电压被写入所述第二位线(/SBL、GBL)的第一段和第二段，且所述第二转移栅被激活以产生均被写入一个存储单元的4个不同的电压。

5、一种动态型半导体存储器件，它包括具有一个包括补偿主位线对(SBL、/GBL)和辅位线对(/SBL、GBL)的一个分级主位线，其特征在于，它还包括

(a)一个位于电连接于一个辅读出放大器(5、41、42、51)的所述主位线(SBL、/GBL)对和所述辅位线(/SBL、GBL)对之间的电容器(12、13)；以及

(b)一个以串接方式电连接于所述主位线对(SBL、/GBL)和所述辅位线(/SBL、GBL)对之间的电容器(12、13)的转移栅，

其中，一个被从一个被选中的存储单元读取到所述辅位线(/SBL、GBL)对的差分电压被转移到所述主位线对(SBL、/GBL)，并且被一个电连接于所述主位线对(SBL、/GBL)的主读出放大器(30、52)放大，并且，

所述主位线对(SBL、/GBL)上的数据通过所述电容器(12、13)被反馈到所述主位线对(SBL、/GBL)，并被从所述辅位线对(/SBL、GBL)再读出到所述主位线对(SBL、/GBL)，从而读出两位数据。

6、如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，它还进一步包括一个把所述辅位线对(/SBL、GBL)分成第一段和第二段的第二转移栅，其中，某个特定组合的电压被写入所述辅位线(/SBL、GBL)对的所述第一段和第二段，然后，所述第二转移栅被激活以把4个不同的电压写入所述存储单元。

7、如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，它还进一步包括位于多个所述辅位线对与所述辅读出放大器之间的第三转移栅，其中，每个所述辅位线对和所述辅读出放大器都以分时的方式通过所述第三转移栅彼此联系，以连续地读出数据。

8、如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，其中，如果被所述辅读出放大器(60、61)读出的两位数据中的一位数据是有缺陷的，所述一位数据被一个为补偿缺陷而准备好的辅读出放大器(62)所替换。

9、如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述一位数据的替换是通过把一个为替换而准备的电路的保险丝切断来进行的。