[发明专利]适于高精度平面化的化学机械抛光方法有效
申请号: | 98120209.8 | 申请日: | 1998-09-30 |
公开(公告)号: | CN1073909C | 公开(公告)日: | 2001-10-31 |
发明(设计)人: | 久保亨 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | B24B29/00 | 分类号: | B24B29/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适于 高精度 平面化 化学 机械抛光 方法 | ||
1、一种用于抛光第一表面包括至少一个导电材料区域和至少一个绝缘材料区域的化学机械抛光方法,其特征在于该抛光方法是用具有聚氨基甲酸酯制成的抛光垫板表面的抛光垫板进行的并且所述第一表面触压到聚氨基甲酸酯制成的抛光垫板表面上的向下压力是设定在不大于420gwt/cm2。
2、按照权利要求1所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的抛光垫板是和含有包括硅石颗粒的溶液的抛光物组合在一起使用的。
3、按照权利要求2所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中用作所说的抛光物的所说的溶液中包括的所说的硅石颗粒包含胶态硅石颗粒。
4、按照权利要求1所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的抛光垫板的整个部件包含一种聚氨基甲酸酯泡沫。
5、按照权利要求1所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的抛光垫板包含一种非织造织物基层和覆盖于所说的非织造织物基层上的一种聚氨基甲酸酯泡沫抛光垫板表面层的层压片。
6、一种化学机械抛光方法,是用于抛光延伸到绝缘层表面上并还填充在绝缘层表面中形成的凹陷内的导电层,从而在凹陷内仅留下所说的导电层,以此形成凹陷中的导电埋藏层,其特征在于所说的化学机械抛光方法是用具有聚氨基甲酸酯制成的抛光垫板表面的抛光垫板进行的并且所说的导电层压触到聚氨基甲酸酯制成的抛光垫板表面上的向下压力是设定在不大于420gwt/cm2。
7、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的抛光垫板是与包含有硅石颗粒的溶液的抛光物结合使用的。
8、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中用作所说的抛光物的在所说的溶液中包括的所说的硅石颗粒包含有胶态硅石颗粒。
9、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的抛光垫板的整个部件包含有聚氨基甲酸酯泡沫。
10、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的抛光垫包含一种非织造织物基层和覆盖于所说的非织造织物基层上的一种聚氨基甲酸酯泡沫抛光垫板表面层的层压片。
11、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的凹陷包含在所说的绝缘层的上部分形成的槽,且所说的导电埋藏层在所说的槽内形成互连层。
12、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的凹陷包含在所说的绝缘层上部分形成的槽,且所说的导电埋藏层在所说的槽内形成电极。
13、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的凹陷包含穿透所说的绝缘层的通孔,且所说的导电埋藏层填充在所说的通孔内形成栓塞层。
14、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的凹陷包含穿透所说的绝缘层的接触孔,且所说的导电埋藏层充填在所说的接触孔内形成栓塞层。
15、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的导电埋藏层包含金属层。
16、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的导电埋藏层包含难熔金属层。
17、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中所说的导电埋藏层包含合金层。
18、按照权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,其中导电埋藏层含有杂质的多晶硅层。
19、一种在绝缘层的槽内形成互连层的方法,其特征在于,所说的方法包含步骤有:
在绝缘层的上部分形成槽;
在所说的绝缘层表面上和所说的槽内沉积一导电层;以及
使所说的导电层经受化学机械抛光以对所说的导电层进行抛光,以只在所说的槽内保留所说的导电层,从而在所说的槽内形成互连层,
其中所说的化学机械抛光是通过使用包含聚氨基甲酸酯泡沫制成的抛光垫板表面的抛光垫板进行的并且所说导电层压触到含聚氨基甲酸酯泡沫的所说的抛光垫板表面上的向下压力被设定在不大于420gwt/cm2。
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