[发明专利]用铜布线膜生产半导体器件的方法无效
| 申请号： | 98120479.1 | 申请日： | 1998-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1216398A | 公开（公告）日： | 1999-05-12 |
| 发明（设计）人： | 大西秀明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布线 生产 半导体器件 方法 | ||
1、一种半导体器件的生产方法，其特征在于，它包括的步骤有：
用一种镶嵌法在一层夹层绝缘膜中形成一层铜布线膜；
在所述铜布线膜和所述夹层绝缘膜上形成一层保护性绝缘膜；
在所述保护性绝缘膜中形成一窗孔；以及
在所述保护性绝缘膜上淀积一层含Al的薄膜填充所述的窗口。
2、按照权利要求1所述的一种方法，其特征在于，它还包括将所述含Al的薄膜加工成图形的步骤。
3、按照权利要求1所述的一种方法，其特征在于，它还包括对所述含Al的薄膜实施CMP(化学机械抛光)法使所述含Al的薄膜嵌入所述窗孔内的步骤。
4、按照权利要求1至3中的任一方法，其特征在于，所述含Al的薄膜是从由Al、Al-Si和Al-Si-Cu所组成的一组材料中选出的。
5、按照权利要求1至3中所述的任一方法，其特征在于，所述形成铜布线膜的步骤还包括用一层阻止铜原子扩散的薄膜将除所述窗孔之外的整个所述铜布线膜的表面包围住。
6、按照权利要求5所述的方法，其特征在于，所述阻止铜原子扩散的薄膜是由一层氮化物膜组成的。
7、按照权利要求1至3中所述的任一方法，其特征在于，所述在所述保护性绝缘膜中形成一窗孔的步骤还包括在形成所述窗孔后用一种干刻蚀法从所述铜膜上去除氧化铜。
8、按照权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的干刻蚀法是利用稀释的HF气体和H(hfac)气进行的O2的等离子体刻蚀。
9、按照权利要求1至3中所述的任一方法，其特征在于，所述的窗孔是用作Al焊点的窗孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
