[发明专利]大晶片清洗装置有效
| 申请号： | 98120780.4 | 申请日： | 1998-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1249532A | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李森楠;刘尹智 | 申请（专利权）人： | 世大积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/30;B08B1/02;C30B33/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 李晓舒 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 装置 | ||
1.一种大晶片清洗装置，其特征在于，至少包括：
一履带，围成一对封闭带状区域；
一滚轮，位于该履带所形成的该封闭带状区域之中，且与该履带耦接并且撑住该履带，使该履带能有一撑平的表面；
一支撑装置，位于该履带所形成的该封闭带状区域之中，用以支撑该大晶片；以及
一大晶片转动装置，配置于该大晶片周围，用以使该大晶片沿一特定方向转动。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该履带的宽度至少为该大晶片的直径。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该履带的表面具有图案化的沟槽。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该履带具有渗透性。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，该履带的材料为PVA。
6.如权利要求4所述的装置，其特征在于，该履带的材料为PU。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括一化学试剂注入装置，用以将一化学试剂注入至该履带上。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，该化学试剂注入装置位于该支撑装置表面，由渗透作用将该化学试剂渗透到该履带上。
9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括一动力传送装置，耦接至该滚轮，使该滚轮转动。
10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括一动力传送装置，耦接至该大晶片转动装置，使该大晶片转动装置转动。
11.一种大晶片清洗装置，其特征在于，至少包括：
一履带，围成一封闭带状区域；
一滚轮，位于该履带所形成的该封闭带状区域之中，且与该履带耦接并且撑住该履带，使该履带能有一撑平的表面；以及
一支撑装置，位于该履带所形成的该封闭带状区域之中，用以支撑该大晶片。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，该履带的宽度至少为该大晶片的直径。
13.如权利要求11所述的装置，其特征在于，该履带的表面具有图案的沟槽。
14.如权利要求11所述的装置，其特征在于，该履带具有渗透性。
15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，该履带的材料为PVA。
16.如权利要求14所述的装置，其特征在于，该履带的材料为PU。
17.如权利要求11所述的装置，其特征在于，还包括一化学试剂注入装置，用以将一化学试剂注入至该履带上。
18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，该化学试剂注入装置位于该支撑装置表面，由渗透作用将该化学剂渗透到该履带上。
19.一种大晶片清洗系统，用以清洗一大晶片的表面与侧边，其特征在于，该大晶片清洗系统至少包括：
一履带式清洗装置，耦接至该大晶片的表面，用以清洗该大晶片的表面，其中，该履带式清洗装置至少包括，
一履带，围成一封闭带状区域，
一滚轮，位于该履带所形成的该封闭带状区域之中，且与该履带耦接并且撑住该履带，使该履带能有一撑平的表面，以及
一支撑装置，位于该履带所形成的该封闭带状区域之中，用以支撑该大晶片；以及
一清洗装置，耦接至该大晶片的侧边，用以清洗该大晶片的侧边。
20.如权利要求19所述的系统，其特征在于，该清洗装置的结构等同于该履带式清洗装置。
21.如权利要求19所述的系统，其特征在于，该履带具有渗透性。
22.如权利要求19所述的系统，其特征在于，还包括一化学试剂注入装置，用以将一化学试剂注入至该履带上。
23.如权利要求22所述的系统，其特征在于，该化学试剂注入装置，位于该支撑装置表面，通过渗透作用将该化学试剂渗透到该履带上。
24.如权利要求19所述的系统，其特征在于，还包括一注水装置，用以将去离子水射至该大晶片侧边上。
25.如权利要求19所述的系统，其特征在于，还包括一大晶片转动装置，配置于该大晶片周围，用以使该大晶片沿一特定方向转动。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
