[发明专利]相联存储器及对其运行的方法

权利要求书

1．带有大量同类存储单元(E)的相联存储器，

-其中，相联存储器上，一个有关的存储单元仅由一个正规的第一PMOS晶体管(T1)的和一个带有一个浮栅极(FG)的第二PMOS晶体管(T2)的串联电路组成，在此第一PMOS晶体管的一个第一引线端是与一个电源电压(Vdd)相连接的，并且在此，第一PMOS晶体管的一个第二引线端为了相联存储经第二PMOS晶体管与用于输出矢量(Y)位信号的一个有关的引线端(Yj)相连接的，并且为了读取与一个电流计值器(Ibj)相连接，以及

-其中，相联存储器上在一个有关的单元中，用于有关输入矢量(X)位信号的一个引线端(Xk)是与当时第一PMOS晶体管的一个栅极(G1)相连接的，并且用于学习信号(LEARN)的一个引线端是与第二PMOS晶体管的一个栅极(G2)相连接的。

2．按权利要求1的相联存储器，其中，相联存储器上这些存储单元是矩阵形布置的，在此用于输入矢量位信号的一个有关的引线端(Xk)是与一个共同行的存储单元(3)相连接的，而用于输出矢量位信号的一个有关的引线端(Yj)是与一个共同列的各单元(1,4)相连接的。

3．按权利要求1用于运行相联存储器的方法，

-其中，要么通过紫外线进行全局清除，要么通过浮栅极(FG)的充正电荷进行全局清除，此充电是借助于一种相对于基片的高正电压，在用于学习信号的引线端上进行的在此所有的第二PMOS晶体管(T2)变成常开晶体管，

-其中，在一个有关的单元中如此来进行相联存储，当用于输入矢量位信号的和用于输出矢量位信号的这些引线端各自用一种用于逻辑1的电平加电压时，只有这么久地进行着热电子注入到有关的第二PMOS晶体管的浮栅极之中，直到第二PMOS晶体管变成常闭晶体管时为止，并且

-其中，如此来进行一个有关单元的读取，学习信号(LEARN)获得电源电压(Vdd)，并且当在用于输入矢量有关位信号的引线端加上一个逻辑1的电平时，和第二PMOS晶体管是一个常闭晶体管时，才通过有关的串联电路和通过用于输出矢量位信号的一个引线端流动电流，在此只有准确地在此情况下，两个PMOS晶体管才是导电的。