[发明专利]多逆变器系统有效
申请号: | 98124104.2 | 申请日: | 1998-10-08 |
公开(公告)号: | CN1071516C | 公开(公告)日: | 2001-09-19 |
发明(设计)人: | 市川耕作;平田昭生;川上和人;佐藤和弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H02M5/44 | 分类号: | H02M5/44;H02M7/00;H02M7/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逆变器 系统 | ||
1.一种多逆变器系统,包括:
具有多个次级绕组的输入变压器;以及
多个单位逆变器单元,串联连接成n级以便构成各相,并且与所述输入变压器结合将电源供给多相负载,
其特征在于,所述输入变压器在次级边设有3n组三相绕组,每相相位不同的所述变压器的次级绕组与在第n级上的各相的所述单位逆变器单元连接。
2.一种多逆变器系统,包括:
3n组具有多个三相次级绕组的输入变压器;
至少一个三相逆变器;以及
多个单相逆变器单元,
多个所述单相逆变器单元被串联连接,成为(n-1)级以便构成各相,并且与所述三相逆变器的每个相同相连接,以便将电源供给一个多相负载。
3.权利要求1所述的多逆变器系统,其中:
对于各相的n个单位串联连接的单位逆变器单元设置了n个所述输入变压器,所述输入变压器具有三组三相绕组,这些三相绕组在次级绕组边是分别具有π/3n的相位差,并且
在各相上相位不同的所述次级绕组与各相的第n级上的所述单位逆变器单元连接。
4.权利要求2所述的多逆变器系统,其中:
所述三相逆变器和在每相第(n-1)级串联连接的单相逆变器单元与相位差为π/3n的变压器的次级绕组连接。
5.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
所述变压器数目是m个,在次级边各有3n组三相绕组,在各相第n级上的所述单位逆变器单元与在各相上不同相位的所述次级绕组连接。
6.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
所述输入变压器的数目是m个,各输入变压器具有相同的次级绕组,并且各相由n组单位逆变器单元组成。
7.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
同相位的输入变压器的所述次级绕组连接到在各相第n级的所述单位逆变器单元上。
8.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
所述输入变压器的数目是m个,在所述输入变压器的初级边上的所述绕组的相位是这样移相的,以致于初级边构成6m相结构,所述输入变压器次级边具有3n组三相绕组,在各相第n级上的所述单位逆变器单元与各相不同相位的次级绕组连接。
9.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
输入变压器的数目是m个,在所述输入变压器的初级边上的所述绕组的相位是这样移相的,以致于初级边构成6m相结构,所述输入变压器的所述次级边具有3组三相绕组,在各相第n级上的所述单位逆变器单元与在各相上的同相位的所述次级绕组连接。
10.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
输入变压器的数目是m个,所述输入变压器的各所述次级绕组给定一个特定的电抗,以致于在预定负载电流流入所述单位逆变器中的状态下,输入电流不中断地流动。
11.权利要求1或2所述的多逆变器系统,还包括:
在所述输入变压器初级边或次级边上的三相绕组的至少一方设有能截断电路的开关。
12.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
中性点箝位3电平逆变器由所述单位逆变器单元组成。
13.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
所述多个单位逆变器单元中的至少一个逆变器电路具有能以PWM控制或PAM控制进行操作的功能,并且其余的单位逆变器只具有或者PAM控制功能或者PWM控制功能。
14.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
自关断半导体器件用作一个开关,以便旁路所述单位逆变器单元的输出,所述开关反向并联连接在单位逆变器单元的输出之间。
15.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
如果要供给所述负载的输出电压是低电位的,控制装置进行控制使至少一级单位逆变器单元不输出电压。
16.权利要求1或2所述的多逆变器系统,其中:
如果要供给所述负载的所述输出电压是低电位的,控制装置进行控制使至少一级单位逆变器单元的输出部分的所述旁路开关进行工作。
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