[发明专利]具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件)

权利要求书

1、一种具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件)，其特征在于，该传感器(F元件)是用单面抛光的N型硅片制作，硅片电阻率在40-200Ωcm之间，其工艺流程为：氧化、光刻、硼预淀积，硼再分布和氧化，光刻，磷预淀积，再分布和氧化，刻引线孔，蒸铝，反刻铝，铝合金化，背面镀镍，划片、粘片、焊线、封装即可。

2、根据权利要求1所述的具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件)，其特征在于，在单面抛光的N型硅片抛光面上制作一个PN结，PN结采用硼扩散。

3、根据权利要求1所述的具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件)，其特征在于，在PN结的P型同侧的N区作一个电极且与PN结的P区相连接，作为两端器件的正极，另一侧面镀镍作为负极。

4、根据权利要求1所述的具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件)，其特征在于，伏安曲线具有阈值电压和负阻状态的维持电压，同时随着元件电流的增大伏安曲线包括三个区间：正阻的高电阻区、负阻区和正阻的低电阻区。

5、权利要求1所述的具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件)，其特征在于其输出频率对温度敏感的的两端器件是用一电容与此负阻器件并联的组合器件，其电容为1纳法到1000纳法之间的表面安装电容。