[发明专利]半导体器件的制造装置无效
申请号: | 98124366.5 | 申请日: | 1998-09-25 |
公开(公告)号: | CN1214531A | 公开(公告)日: | 1999-04-21 |
发明(设计)人: | 吉田稔;土肥猛 | 申请(专利权)人: | 伊诺太科株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 装置 | ||
1.一种制造半导体器件的装置,其特征在于,该装置包括单元处理组,每个单元处理组(101-105,101′,102′,104′)分别具有多个处理机构(31-38),处理机构包括在形成晶片衬底的单层的步骤中的清洗和膜形成,并且其中这些多个单元处理组是沿着用于传输晶片衬底的主路线(7)串联设置的。
2.一种制造半导体器件的装置,其特征在于,该装置包括与用于传输晶片衬底的主路线(7)相连接的单元处理组,并且这些单元处理组(101-105,101′,102′,104′)包括多个处理机构(31-38),该处理机构包括在形成晶片衬底的单层的那些步骤中的例如清洗和膜形成和其他处理机构,这些处理机构按照晶片衬底的处理顺序串联设置。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,单元处理组包括具有按照晶片衬底处理顺序串联设置的多个处理机构(31-38)的单元处理组(101-105,101′,102′,104′)。
4.如权利要求2所述的装置,其特征在于,多个处理组(101-105,101′,102′,104′)沿着用于传输晶片衬底的主路线(7)串联设置。
5.如权利要求1-4任一项所述的装置,其特征在于,提供从主路线(7)引出的分支路线(24),并且在该分支路线中安装选自所有处理机构的特殊处理机构。
6.如权利要求1-5任一项所述的装置,其特征在于,沿着用于传输晶片衬底的传输路线(7)以预定间隔设置净化台,并且该净化台(6)向传输路线注入净化空气,由此在路线(7)和净化台之间形成净化空间(39)。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,沿着晶片衬底传输路线(7)的方向在净化台6的边缘提供向下延伸的空气导向器。
8.如权利要求6或7的装置,其特征在于,在净化台(6)和传输路线(7)之间提供包围净化空间(39)的围墙部件。
9.如权利要求6-8的任一项所述的装置,其特征在于,在净化台下面提供空气出口。
10.如权利要求1-9的任一项所述的装置,其特征在于,其包括:含有传输路线的传输装置,其中传输路线基本上包括和在传输路线上可运动的且其上装有晶片衬底的运载工具(25)一起的一个或两个主路线(7)和分支路线(24);位置检测装置,用于检测该传输机构具有的运载工具的位置;和控制CPU,用于根据来自位置检测机构的检测信号让运载体运动或前进。
11.如权利要求10的装置,其特征在于,位置检测机构包括表示沿着传输路线(7)提供的位置的地址ID和用于读取提供给运载工具的地址ID(26)的ID检测器,并且ID检测器把在传输过程中读取的地址ID传输给控制CPU,而控制CPU在发送给它的地址ID(26)的基础上控制运载工具(25)的运动。
12.如权利要求10-11的任一项所述的装置,其特征在于,沿着晶片衬底的传输路线提供适应于任何合适的产品类型的单元处理组,并且控制CPU只选择在运载工具(25)的传输过程中所要求的一个或多个单元处理组。
13.如权利要求10-12任一项所述的装置,其特征在于,包括处理机构组和在对应沿着传输路线的处理机构组的部分设置的保护区(27),其中处理机构组包括处理能力比沿着传输路线(7)提供的其它处理机构低的相同类型的多个连续处理机构,控制CPU控制在传输路线(7)上运动的多个运载工具(25),并对把晶片衬底运送到所述处理机构组的运载工具(25)起作用,使其停止在保护区(27)中,从而使其后面的运载工具(25)穿过停止的运载工具(25)。
14.如权利要求1-13的任一项所述的装置,其特征在于,包括随机单元处理组,其中处理机构在台系统中随机设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造