[发明专利]在化学敏感型光刻胶上形成图形的方法无效
| 申请号： | 98124457.2 | 申请日： | 1998-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1217567A | 公开（公告）日： | 1999-05-26 |
| 发明（设计）人： | 吉井刚 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 敏感 光刻 形成 图形 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种在化学敏感型光刻胶上形成图形的方法，其包括下列步骤：将光刻胶膜通过掩模图形进行曝光，将曝光的光刻胶膜进行显影以形成光刻胶图形，将保护基团与光刻胶图形分离，和将光刻胶图形进行热处理。
2．如权利要求1的方法，其中所述保护基团分离步骤包括将光刻胶图形浸入酸性溶液中。
3．如权利要求2的方法，其中所述保护基团分离步骤是在加热光刻胶图形的同时进行的。
4．如权利要求1的方法，其中保护基团分离步骤包括将光刻胶图形暴露在酸性气体中。
5．如权利要求4的方法，其中所述保护基团分离步骤是在加热光刻胶图形的同时进行的。
6．如权利要求1的方法，其中所述曝光步骤使用KrF激光器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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