[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 98124839.X | 申请日： | 1998-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1218261A | 公开（公告）日： | 1999-06-02 |
| 发明（设计）人： | 牧野辰志 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
1．具有多个组的半导体存储器件，包括：
主驱动电路(下文称作主SAPN电路)，提供到每个组，用于驱动读出放大器；以及
辅助驱动电路(下文称作子SAPN电路)，在驱动读出放大器之后用于保持电位，其中：
所述每个组的主SAPN电路共同连接到VDD布线和GND布线(下文称作主电源布线)；
所述每个组的子SAPN电路连接到每个VDD布线和GND布线，每个VDD布线和GND布线提供到每个组，并且容量小于主电源布线；以及
每个组的读出放大器的读出操作完成后，仅有子SAPN电路设置在激活状态，以保持读出放大器的电位。
2．根据权利要求1的半导体存储器件，其特征在于：
当驱动读出放大器时，所述主SAPN电路和子SAPN电路都设置在激活状态，完成读取操作之后，仅有主SAPN电路设置在非激活状态，读出放大器的电位由激活状态中的子SAPN电路保持。
3．根据权利要求1的半导体存储器件，其特征在于：
当驱动读出放大器时，仅有所述主SAPN电路设置在激活状态，完成读取操作之后，主SAPN电路设置在非激活状态，同时子SAPN电路设置在激活状态，由此保持读出放大器的电位。
4．根据权利要求1的半导体存储器件，其特征在于：
具有较小容量的VDD布线和GND布线的布线宽度等于或小于主电源布线的布线宽度的一半。
5．具有多个组的半导体存储器件，包括：
主驱动电路(下文称作主SAPN电路)，提供到每个组，用于驱动读出放大器；以及
辅助驱动电路(下文称作子SAPN电路)，包括比所述主SAPN电路更小的晶体管和更高的电阻，在驱动读出放大器之后用于保持电位，其中：
所述每个组的所述主SAPN电路和所述子SAPN电路连接到公共VDD布线和公共GND布线；
每个组的读出放大器完成读取操作之后，仅有子SAPN电路设置在激活状态，以保持所述读出放大器的电位。
6．根据权利要求5的半导体存储器件，其特征在于：
当驱动读出放大器时，所述主SAPN电路和子SAPN电路都设置在激活状态，完成读取操作之后，仅有主SAPN电路设置在非激活状态，所述读出放大器的电位由激活状态中的子SAPN电路保持。
7．根据权利要求5的半导体存储器件，其特征在于：
当驱动读出放大器时，仅有所述主SAPN电路设置在激活状态，完成读取操作之后，主SAPN电路设置在非激活状态，同时子SAPN电路设置在激活状态，由此保持所述读出放大器的电位。
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