[发明专利]测量杂质浓度的方法及存储杂质浓度测量程序的记录介质

权利要求书

1．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤：

向半导体基片中引入一种杂质；

活化该杂质；

测量该半导体基片的脉冲CV特性；

根据此脉冲CV特性计算所述半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；

在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该半导体基片的SIMS测量，以计算所述杂质的SIMS分布；

在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正，使得从所述SIMS分布图中得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致；以及

将该半导体基片用作标准样品进行其它样品的SIMS测量。

2．如权利要求1所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入杂质的步骤之前，还包括在所述半导体基片上形成氧化膜的步骤。

3．如权利要求2所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述测量脉冲CV特性的步骤之前还包括在所述氧化膜上形成电极的步骤，在所述计算载流子浓度分布的步骤之后还包括去除所述电极的步骤。

4．如权利要求3所述的杂质浓度测量方法，其中，所述测量脉冲CV特性的步骤为利用所述半导体基片的反面和所述电极进行脉冲CV特性的测量。

5．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤：

将一种杂质引入多个半导体基片中；

将另一种杂质引入除一个半导体基片之外的所述多个半导体基片中；

重复将还在的其他杂质引入所述半导体的步骤，其中所述半导体中不包括与前面杂质引入步骤数相同数量的半导体基片；

当每次引入杂质时，测量所述半导体基片之一的脉冲CV特性；

根据此脉冲CV特性计算所述半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；

在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该半导体基片的SIMS测量，以计算所述杂质的SIMS分布；

当所述杂质引入是第一次引入时，在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正，使得从SIMS分布图中得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致；

对各个步骤进行模拟，直至下一次引入杂质，以估算下一次杂质引入前的载流子浓度分布；

当所述杂质引入不是第一次引入时，将上次杂质引入结束后估算的载流子浓度分布与本次杂质引入结束后的载流子浓度分布实际值加以比较；

根据所述比较结果计算本次所引入杂质的剂量；

用最小二乘方法校正所述SIMS分布，使得其所投剂量与该计算出的剂量一致；以及

对各个步骤进行模拟，直至下一次引入杂质，以估算下一次杂质引入前的载流子浓度分布。

6．如权利要求5所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入杂质的步骤之后，还包括在所述半导体基片上形成氧化膜的步骤。

7．如权利要求5所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入杂质的步骤之后，还包括使所述杂质活化的步骤。

8．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤：

向一个第一半导体基片和一个第二半导体基片中引入第一种导电型的第一杂质；

向所述第一半导体基片中引入第二种导电型的第二杂质，第二种导电型为所述第一种导电型的反型；

测量所述第一半导体基片的脉冲CV特性；

根据此脉冲CV特性计算所述第一半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；

在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该第一半导体基片的SIMS测量，以计算所述第一和第二杂质的SIMS分布；

根据所述第一和第二杂质的SIMS分布，估算所述第一半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；以及

在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，用最小二乘方法校正所述SIMS分布，使得由所述脉冲CV特性获得的该载流子浓度分布的一剂量与从所估算的载流子浓度分布中得到的一剂量相一致。

9．如权利要求8所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入第二杂质的步骤之后，还包括在所述第一半导体基片上形成氧化膜的步骤。

10．如权利要求8所述的杂质浓度测量方法，其中，在所述引入第二杂质的步骤之后，还包括使所述第一和第二杂质活化的步骤。