[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 98125104.8 申请日: 1998-11-20
公开(公告)号: CN1221982A 公开(公告)日: 1999-07-07
发明(设计)人: 宫田修;柴田和孝;上田茂幸 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/28;H01L21/50;H01L21/00;H01L23/00
代理公司: 中科专利代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,是包含膜状底板和在这个膜状底板的表面上按叠层状接合的半导体芯片的半导体装置,其特征在于上述半导体芯片具有形成多个端子垫片的主面,上述膜状底板除了在其底面配设有按矩阵状并排的多个用于外部连接的接线端部外,在其表面上还形成有与各个用于外部连接的接线端部导通的多个模式布线,而且,要使上述膜状底板表面的各个模式布线分别与在上述半导体芯片的主面上形成的端子垫片导电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于上述各个用于外部连接的接线端部的形成是通过在膜状底板上形成的从上述模式布线的一部分朝向膜状底板的底面的孔上、装入焊球使其一部分朝着膜状底板的底面凸出、而且把这个焊球与上述模式布线熔融连接而形成的。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于上述半导体芯片的各端子垫片在被形成为凸缘状的同时,上述半导体芯片其主面向下并接合在上述膜状底板的表面上,而且,上述各凸缘状的端子垫片与上述膜状底板的模式布线相向并与之导通。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于通过在上述半导体芯片和上述膜状底板之间加入树脂粘合剂使得上述半导体芯片和上述膜状底板机械性地接合着,同时,使上述半导体芯片的端子垫片和上述膜状底板的模式布线导电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于上述树脂粘合剂是在绝缘性的树脂成分中掺入导电成分的非均匀性导电粘合剂。

6.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于上述树脂粘合剂含有多孔性树脂。

7.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于在上述树脂粘合剂的周围及上述半导体芯片的周围由保护树脂围着。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于上述保护树脂含有多孔性树脂。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于上述保护树脂围到上述半导体芯片的表面上。

10.根据权利要求6至8中的任一权利要求所述的半导体装置,其特征在于上述多孔性树脂是酚醛类的热固化性树脂。

11.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于与上述模式布线的一端导电连接的用于外部连接的接线端部和与上述模式布线的另一端导电连接的半导体芯片的端子垫片从俯视看是互相错位的。

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于半导体芯片的各端子垫片配设在半导体芯片外面的周边部,另一方面,从俯视看,通过模式布线与各端子垫片导电连接的各个用于外部连接的接线端部是在比上述各端子垫片更内侧的区域中按矩阵状配设的。

13.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于在上述膜状底板的的表面上的各模式布线中,除了与半导体芯片的各端子垫片相向的且与各端子垫片导电连接的区域之外的一部分或整个区域形成α射线屏蔽性绝缘膜。

14.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于上述α射线屏蔽性绝缘膜至少要在各个用于外部连接的接线端部的正上方的区域上形成。

15.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于上述α射线屏蔽性绝缘膜是由聚酰亚胺树脂形成。

16.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于上述半导体芯片是具有存储单元区的存储芯片。

17.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于让上述半导体芯片的表面实质上露到外部,而且,在这个表面的边缘部的一部分或全部形成倒角。

18.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于让上述半导体芯片的表面实质上露到外部的同时,在这个芯片的表面形成微小的凹凸,而且,通过印刷在这个芯片的表面上附上标识。

19.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于上述半导体芯片的表面由树脂膜覆盖着,而且,在这个树脂膜的表面上,通过印刷在附上标识。

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