[发明专利]使用籽晶层形成PZT薄膜的方法

权利要求书

1、一种使用籽晶层形成PZT薄膜的方法，包括下列步骤：

在衬底上形成电极；

通过向存在氧源的室中喷射Pb前体而在该电极上形成PbO籽晶层；以及

在该PbO籽晶层上形成PZT薄膜。

2、权利要求1的方法，其中的电极由铂(Pt)制成。

3、权利要求1的方法，其中形成过渡层，代替电极。

4、权利要求3的方法，其中的过渡层由TiO₂制成。

5、权利要求1的方法，其中的形成PbO籽晶层的步骤是使用金属有机化学汽相沉积法或溅射法进行。

6、权利要求2的方法，其中的形成PbO籽晶层的步骤是使用金属有机化学汽相沉积法或溅射法进行。

7、权利要求3的方法，其中的形成PbO籽晶层的步骤是使用金属有机化学汽相沉积法或溅射法进行。

8、权利要求4的方法，其中的形成PbO籽晶层的步骤是使用金属有机化学汽相沉积法或溅射法进行。

9、权利要求5的方法，其中的在形成PbO籽晶层步骤中，使用金属有机化学汽相沉积法，除了Pb前体之外同时喷射Zr和Ti前体以形成PZT籽晶层，其中向室中喷射过量的Pb，从而使用于形成籽晶层的Pb与Zr和Ti的喷射比值Pb/(Zr+Ti)大于用于形成PZT薄膜的这一比值。

10、权利要求6的方法，其中的在形成PbO籽晶层步骤中，使用金属有机化学汽相沉积法，除了Pb前体之外同时喷射Zr和Ti前体以形成PZT籽晶层，其中向室中喷射过量的Pb，从而使用于形成籽晶层的Pb与Zr和Ti的喷射比值Pb/(Zr+Ti)大于用于形成PZT薄膜的这一比值。

11、权利要求7的方法，其中的在形成PbO籽晶层步骤中，使用金属有机化学汽相沉积法，除了Pb前体之外同时喷射Zr和Ti前体以形成PZT籽晶层，其中向室中喷射过量的Pb，从而使用于形成籽晶层的Pb与Zr和Ti的喷射比值Pb/(Zr+Ti)大于用于形成PZT薄膜的这一比值。

12、权利要求8的方法，其中的在形成PbO籽晶层步骤中，使用金属有机化学汽相沉积法，除了Pb前体之外同时喷射Zr和Ti前体以形成PZT籽晶层，其中向室中喷射过量的Pb，从而使用于形成籽晶层的Pb与Zr和Ti的喷射比值Pb/(Zr+Ti)大于用于形成PZT薄膜的这一比值。

13、权利要求9的方法，其中用于形成PZT籽晶层所供入的Pb与Zr和Ti的喷射比值Pb/(Zr+Ti)为1.05-1.5，大于在随后步骤中用于形成PZT薄膜的这一比值。

14、权利要求10的方法，其中用于形成PZT籽晶层所供入的Pb与Zr和Ti的喷射比值Pb/(Zr+Ti)为1.05-1.5，大于在随后步骤中用于形成PZT薄膜的这一比值。

15、权利要求11的方法，其中用于形成PZT籽晶层所供入的Pb与Zr和Ti的喷射比值Pb/(Zr+Ti)为1.05-1.5，大于在随后步骤中用于形成PZT薄膜的这一比值。

16、权利要求12的方法，其中用于形成PZT籽晶层所供入的Pb与Zr和Ti的喷射比值Pb/(Zr+Ti)为1.05-1.5，大于在随后步骤中用于形成PZT薄膜的这一比值。

17、权利要求1的方法，其中在形成PbO籽晶层的步骤中，PbO籽晶层在400-500℃温度沉积。

18、权利要求2的方法，其中在形成PbO籽晶层的步骤中，PbO籽晶层在400-500℃温度沉积。

19、权利要求3的方法，其中在形成PbO籽晶层的步骤中，PbO籽晶层在400-500℃温度沉积。

20、权利要求4的方法，其中在形成PbO籽晶层的步骤中，PbO籽晶层在400-500℃温度沉积。

21、权利要求1的方法，其中在形成PbO籽晶层的步骤中，PbO籽晶层的沉积厚度为50-500nm。

22、权利要求2的方法，其中在形成PbO籽晶层的步骤中，PbO籽晶层的沉积厚度为50-500nm。