[发明专利]半导体产品及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体产品的制造方法，包括步骤：在半导体衬底的至少一个表面上形成包含有能够控制导电类型的元素的掺杂层，更改掺杂层的表面为多孔状态以得到比掺杂层薄的多孔层，在多孔层上形成无孔层以制备第一产品，键合所述第一产品和第二产品以便生产出在其内部具有所述多孔层的多层结构，和将所述多层结构沿所述多孔层进行分离。

2．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，还包括将分离的第一产品再使用作为用于制造另一半导体产品的所述半导体衬底的步骤。

3．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，还包括将分离的第一产品再使用作为用于制造另一半导体产品的所述第二产品的步骤。

4．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中所述掺杂层和所述多孔层形成在所述半导体衬底两相对表面的每个表面上，并且随后在每个所述多孔层上形成所述无孔层。

5．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中所述能够控制导电类型的元素能够将所述掺杂层的导电类型控制成n型。

6．根据权利要求5的半导体产品的制造方法，其中所述能够控制导电类型的元素选自P,As和Sb。

7．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中所述能够控制导电类型的元素能够将所述掺杂层的导电类型控制成P型。

8．根据权利要求7的半导体产品的制造方法，其中所述能够控制导电类型的元素是B。

9．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，所述掺杂层是通过扩散工艺形成的。

10．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中所述掺杂层是通过外延生长工艺形成的。

11．根据权利要求9或10的半导体产品的制造方法，其中所述能够控制导电类型的元素是通过使用气体作为源供给的。

12．根据权利要求9或10的半导体产品的制造方法，其中所述能够控制导电类型的元素是通过使用液体作为源供给的。

13．根据权利要求9或10的半导体产品的制造方法，其中所述能够控制导电类型的元素是通过使用固体作为源供给的。

14．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中多个多孔层具有彼此不同的多孔性形成在所述掺杂层中。

15．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中所述多孔层包括具有不同多孔性且将一个迭放在另一个上以形成多层的第一和第二多孔层，其中靠近所述无孔层放置的第一多孔薄层具有较低多孔性。

16．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中所述掺杂层包括通过外延生长形成的外延层，并且所述多孔层形成在外延层中。

17．根据权利要求16的半导体产品的制造方法，其中所述多孔层包括多个具有彼此不同多孔性的多孔层。

18．根据权利要求14或17的半导体产品的制造方法，其中所述多层结构是在具有较高多孔性的多孔层界面内或/和界面上分离的。

19．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中包含在所述掺杂层中能够控制导电类型的所述元素的浓度被控制在5.0×10¹⁶/cm³和5.0×10²⁰/cm³之间的范围内。

20．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中包含在所述掺杂层中能够控制导电类型的所述元素的浓度被控制在1.0×10¹⁷/cm³和2.0×10²⁰/cm³之间的范围内。

21．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中包含在所述掺杂层中能够控制导电类型的所述元素的浓度被控制在5.0×10¹⁷/cm³和1.0×10²⁰/cm³之间的范围内。

22．根据权利要求1的半导体产品的制造方法，其中通过将外力施加到所述多孔层来分离所述多层结构。