[实用新型]高密度电连接器无效
申请号: | 98209007.2 | 申请日: | 1998-01-24 |
公开(公告)号: | CN2315673Y | 公开(公告)日: | 1999-04-21 |
发明(设计)人: | 赖近益;吴焜灿 | 申请(专利权)人: | 鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01R13/40 | 分类号: | H01R13/40;H01R13/02 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 杨梧 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高密度 连接器 | ||
本实用新型涉及一种高密度电连接器,特别是涉及一种对接顺畅、确实,且能延长使用寿命的高密度电连接器。
随个人电脑功能的不断增加,硬件设备也随之变得更为精简、轻巧,因此电脑机壳内的空间被占用以至逐渐缩小,必需以堆叠电路板的方式容纳比原来更多的电子元件,故人们除在保持原有电连接器的功能外,还开发出一种高密度电连接器,以便传输更大量的信号。而一般高密度电连接器如图9A、9B所示,其包括第一电连接器90及第二电连接器95,两者为对接的高密度电连接器组合,其中第一连接器90的前缘设有由端子槽座92所组成的对接端91,第二连接器95的前缘设有由端子置板97所组成的对接端96,用端子槽座92、端子置板97来支承数个端子,而此种结构设计的高密度电连接器,由于其端子槽座92及端子置板97相当长,极易出现翘曲变形,致使第一、二高密度电连接器90、95在对接时不易插置,造成使用不便或电导接不牢固。再有,此类高密度电连接器为解决人体接触所产生的静电放电(Electro-Static Discharges-ESD)问题,在端子槽座92及端子置板97前端设有沟槽921、971,并嵌设有导电片93、98(或电线、导电条等),该导电片93、98分别与第一、二高密度电连接器90、95的金属部分导通后接地。其缺点在于,由于长条状的端子槽座92、端子置板97的沟槽921、971的制造及沟槽921、971与导电片93、98(线)嵌设困难,提高整体制造成本,经济效益低。
本实用新型目的在于避免高密度电连接器对接端所产生的翘曲变形,使高密度电连接器的对接顺畅及电导接牢固。
本实用新型的另一目的在于有效抑制高密度电连接器对接端所产生的静电放电。
本实用新型的目的是这样实现的,即提供一种高密度电连接器,它包括:一绝缘本体,其上设有一对接面,该对接面的长边水平线上设有沿同一长边水平线垂直排列的数个端子收容槽;数个端子,设于所述的绝缘本体的数个端子收容槽。
本实用新型装置的优点在于,通过对数个纵向端子收容槽与隔板分隔的设置,使其高密度电连接器不会产生翘曲变形,并且对接顺畅,导接牢固,能释放静电,由于其设置有收容槽和收容板,其连接器的对接端强度大,并延长使用寿命。
下面结合附图,详细说明本实用新型的实施例,其中:
图1A、1B为本实用新型第一高密度电连接器不同方位的立体分解图;
图2A、2B为本实用新型第一高密度电连接器立体组合图;
图3为本实用新型第一高密度电连接器的剖视图;
图4为本实用新型第二高密度电连接器的立体分解图;
图5A、5B为本实用新型第二高密度电连接器不同方位的立体组合图;
图6为本实用新型第一、二高密度电连接器对接后的立体图;
图7为本实用新型第一、二高密度电连接器对接后的剖视图;
图8为本实用新型第一、二高密度电连接器对接后的剖视图;
图9A、9B为已知高密度电连接器立体图。
请参阅图1A和1B,本实用新型第一高密度电连接器1为一种密插座高密度电连接器,其大体上包括第一绝缘本体10、数个端子20、卡锁装置30、隔板装置40及罩壳50,其中该第一绝缘本体10为长状体,其左右两侧各延伸出一段长度段,并呈一凹字形,其本体包括一设于对接面100的端子收容槽座11,该端子收容槽座11具有设在对接面100上长边面水平线A-A上并排的数个端子收容槽110,该端子收容槽110内的两侧壁设有数个端子沟槽111,这些端子沟槽111收纳数个端子20,各端子收容槽110之间还都有一间隙112。另外,请参阅图1B,第一绝缘本体10在该端子收容槽座11的另一侧对应端,设有数个端子通孔12,数个端子通孔12又与端子收容槽座11的端子沟槽111对应连通。另外,绝缘本体10的两侧设有一透空的定位槽室13,藉该定位槽室13容纳前述卡锁装置30,该定位槽室13上设有一槽口131及通孔132(参见图1A)。还有,第一绝缘本体10的内侧设有一卡槽14及与该卡槽14相卡合的端子定位座15,该端子定位座15呈阶梯状,其侧边设有突块151,藉该突块151卡置在第一绝缘本体10的卡槽14处,且该端子定位座15上设有数个上下贯通的端子通孔152、153,藉该端子通孔152、153可使该数个端子20插置定位在端子定位座15上。
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